- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录81701 > MXSMBJ2K3.0 (MICROSEMI CORP-IRELAND) 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | MXSMBJ2K3.0 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP-IRELAND |
| 元件分类： | TVS二极管 - 瞬态电压抑制 |
| 英文描述： | 2000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA |
| 封装： | PLASTIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 306K |
| 代理商： | MXSMBJ2K3.0 |
TECHNICAL DATA SHEET
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
Tel: +353 (0) 65 6840044, Fax: +353 (0) 65 6822298
Tel: 1-800-446-1158 / (978) 794-1666, Fax: (978) 6890803
Website: http://www.microsemi.com
___________________________________________________________________________________________________________________________________
RF01019 Rev A, November 2010
High Reliability Product Group
Page 3 of 4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25oC
MICROSEMI
PART
NUMBER
BREAKDOWN
VOLTAGE
Minimum
VBR
BREAKDOWN
CURRENT
IBR
RATED
STANDOFF
VOLTAGE
VWM
MAX
STANDBY
CURRENT
ID @ VWM
MAX
CLAMPING
VOLTAGE
VC @ IPP
PEAK PULSE
CURRENT
IPP
TEMPERATURE
COEFFICIANT
of
VBR
αV(BR)
V
mA
V
A
V
A
% /
oC
MSMB(J)(G)2K3.0
MSMB(J)(G)2K3.3
MSMB(J)(G)2K4.0
MSMB(J)(G)2K4.5
MSMB(J)(G)2K5.0
4.3
4.6
5.0
5.4
5.9
50
3.0
3.3
4.0
4.5
5.0
1500
700
400
50
5
5.4
5.8
6.3
6.6
7.6
10
+0/-0.05
±0.025
±0.030
±0.040
+0.050
GRAPHS
GRAPHS Contd.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBR1050CT | 5 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
| MBRF2045 | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
| MBR2060DC | 10 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB |
| MBR30100ST | 30 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 |
| MBR3090ST | 30 A, 90 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| MXSMBJ2K4.0 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS 2KW UNIDIRECT DO-215AA 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA |
| MXSMBJ2K4.0E3 | 功能描述:TVS DIODE 4VWM 6.3VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:4V 电压 - 击穿（最小值）:5V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:6.3V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MXSMBJ2K4.5 | 功能描述:TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:4.5V 电压 - 击穿（最小值）:5.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:6.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MXSMBJ2K4.5E3 | 功能描述:TVS DIODE 4.5VWM 6.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:4.5V 电压 - 击穿（最小值）:5.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:6.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
| MXSMBJ2K5.0 | 功能描述:TVS DIODE 5VWM 7.6VC DO215AA 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500 包装:散装 零件状态:上次购买时间 类型:齐纳 单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:5V 电压 - 击穿（最小值）:5.9V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:7.6V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:10A（8/20μs） 功率 - 峰值脉冲:2000W（2kW） 电源线路保护:无 应用:通用 不同频率时的电容:- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMBJ（DO-214AA） 标准包装:1 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。