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参数资料
| 型号： | N02L6181AB27I |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 1.8V LP 48-BGA |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 480 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 2M (128K x 16) |
| 速度： | 85ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.65 V ~ 2.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 48-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 48-BGA（6x8） |
| 包装： | 托盘 |
N02L6181A
Ball Grid Array Package
A1 BALL PAD
D
0.28±0.05
1.24±0.10
CORNER (3)
1. 0.35±0.05 DIA.
E
2. SEATING PLANE - Z
0.15
0.05
Z
Z
TOP VIEW
SIDE VIEW
SD
A1 BALL PAD
CORNER
1. DIMENSION IS MEASURED AT THE
MAXIMUM SOLDER BALL DIAMETER.
PARALLEL TO PRIMARY Z.
2. PRIMARY DATUM Z AND SEATING
K TYP
e
SE
PLANE ARE DEFINED BY THE
SPHERICAL CROWNS OF THE
SOLDER BALLS.
3. A1 BALL PAD CORNER I.D. TO BE
MARKED BY INK.
J TYP
e
BOTTOM VIEW
Dimensions (mm)
e = 0.75
BALL
D
E
MATRIX
SD
SE
J
K
TYPE
6±0.10
8±0.10
0.375
0.375
1.125
1.375
FULL
Rev. 4 | Page 10 of 11 | www.onsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| N02L63W2AB25I | IC SRAM 2MBIT 3V LP 48-BGA |
| N02L63W3AT25IT | IC SRAM 2MBIT 3V LP 44-TSOP |
| N02L83W2AN25IT | IC SRAM 2MBIT 3V LP 32-STSOP |
| N04L63W1AB27I | IC SRAM 4MBIT 3V LP 48-BGA |
| N04L63W2AT27IT | IC SRAM 4MBIT 3V LP 44-TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| N02L6181AB27IT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
| N02L6181AB28I | 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 1.8V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| N02L6181AB28IT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
| N02L6181AB7I | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
| N02L6181AB7IT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 128Kx16 bit |
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