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参数资料
| 型号： | N02L83W2AN25IT |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2MBIT 3V LP 32-STSOP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 234 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 2M (256K x 8) |
| 速度： | 70ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-LFSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 32-sTSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
N02L83W2A
Timing Waveform of Write Cycle (WE control)
t WC
Address
CE1
CE2
WE
t AS
t AW
t CW
t WP
t WR
t DW
t DH
Data In
High-Z
Data Valid
t WHZ
Data Out
Timing Waveform of Write Cycle (CE1 Control)
t WC
Address
t AW
High-Z
t OW
t WR
CE1
(for CE2 Control, use
inverted signal)
t AS
t CW
t WP
WE
t DW
t DH
Data In
Data Valid
Data Out
t LZ
t WHZ
High-Z
Rev. 8 | Page 7 of 10 | www.onsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| N02L83W2AN5I | 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| N02L83W2AN5IT | 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| N02L83W2AT25I | 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| N02L83W2AT25IT | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:2Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 256K × 8 bit |
| N02L83W2AT5I | 功能描述:静态随机存取存储器 2MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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