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参数资料
型号： N08L6182AB27I
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 8/10页
文件大小： 0K
描述： IC SRAM 8MBIT 1.8V LP 48-BGA
产品变化通告： Product Obsolescence 14/Apr/2010
标准包装： 220
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 异步
存储容量： 8M（512K x 16）
速度： 85ns
接口： 并联
电源电压： 1.65 V ~ 2.2 V
工作温度： -40°C ~ 85°C
封装/外壳： 48-LFBGA
供应商设备封装： 48-BGA（6x8）
包装： 托盘
N08L6182A
Timing Waveform of Write Cycle (WE control)
t WC
Address
CE1
CE2
LB, UB
t AW
t CW
t LBW , t UBW
t WR
WE
t AS
t WP
t DW
t DH
Data In
High-Z
Data Valid
t WHZ
Data Out
Timing Waveform of Write Cycle (CE1 Control)
t WC
Address
t AW
High-Z
t OW
t WR
CE1
(for CE2 Control, use
inverted signal)
t AS
t CW
t LBW , t UBW
LB, UB
t WP
WE
t DW
t DH
Data In
Data Valid
Data Out
t LZ
t WHZ
High-Z
Rev. 8 | Page 8 of 10 | www.onsemi.com
相关PDF资料
PDF描述
N08L63W2AB27I IC SRAM 4MBIT 70NS 48BGA
N1JP1212 PANEL INNER 10.25X10.25" GREY
N252-012 PANEL PATCH CAT6 568B 12PORT
N252-024 PANEL PATCH CAT6 568B 24PORT
N252-048 PANEL PATCH CAT6 RACK 48 PORT
相关代理商/技术参数
参数描述
N08L6182AB27IT 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16bit
N08L6182AB7I 功能描述:静态随机存取存储器 8MB 1.8V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
N08L6182AB7IT 功能描述:静态随机存取存储器 8MB 1.8V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
N08L63W2A 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit
N08L63W2AB27I 功能描述:静态随机存取存储器 8MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
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