参数资料
| 型号： | N25S830HAS22I |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 托盘 |
| 产品目录页面： | 1131 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 766-1043 |
N25S830HA
CS
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SCK
Instruction
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SI
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ADDR 1
Data In to ADDR 1
SO
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Data In to ADDR 2
Data In to ADDR 3
Data In to ADDR n
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0 ...
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6
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2
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0
High ? Z
Figure 11. Page and Burst WRITE Sequence
Data Words: sequential, at the end of the page the
address wraps back to the beginning of the page
SI
16 ? bit address
Page X
Page X
Page X
Page X
Page X
Page X
Page address (X)
Word address (Y)
Word Y
Word Y+1 Word Y+2
Word 31
Word 0
Word 1
SO
High ? Z
Figure 12. Page WRITE Sequence
SI
...
...
16 ? bit address
Page X
Page X
Page X
Page X
Page X
Page X
Page X+1 Page X+1
Page address (X)
Word address (Y)
Word Y
Word Y+1
Word 31
Word 0
Word 1
Word Y ? 1 Word Y
Word Y+1
Data Words: sequential, at the end of the page the address wraps to the beginning of the page and
continues incrementing up to the starting word address. At that time, the address increments to the
next page and the burst continues.
SO
High ? Z
Figure 13. Burst WRITE Sequence
http://onsemi.com
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参数描述 |
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