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参数资料
| 型号： | N64S830HAT22I |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 20MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 100 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1131 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 766-1046 766-1046-5 766-1046-ND |
N64S830HA
READ Status Register Instruction (RDSR)
This instruction provides the ability to read the
programmable bits of the Status Register. These register bits
may be read at any time by performing the following timing
CS
sequence. Bits 0, 6 and 7 contain the data for the functional
operation and Bit 1 will read data type ‘1’ for the 64 Kb
device.
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
SCK
Instruction
SI
0
0
0
0
0
1
0
1
Status Register Data Out
SO
High ? Z
7
6
5
4
3
2
1
0
Figure 16. READ Status Register Instruction (RDSR)
Bit 7
Mode
Bit 6
Bit 5
0
Bit 4
0
Bit 3
0
Bit 2
0
Bit 1
1 = 64 Kb
Bit 0
Hold Function
0
1
0
1
0 = Word Mode
0 = Page Mode
1 = Burst Mode
1 = Reserved
Figure 17. Status Register
0 = Hold
1 = No Hold
Power ? Up State
The serial SRAM enters a know state at power ? up time. The device is in low ? power standby state with CS = 1. A low level
on CS is required to enter an active state.
http://onsemi.com
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