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参数资料
| 型号： | NAND02GW3B3BZB1F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| 封装： | 9.50 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-63 |
| 文件页数： | 53/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND02GW3B3BZB1F |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
PART NUMBERING
Table 31. Ordering Information Scheme
Devices are shipped from the factory with the memory content bits, in valid blocks, erased to ’1’. For further
information on any aspect of this device, please contact your nearest ST Sales Office.
Example:
NAND02GR3B
2
A ZA
1
T
Device Type
NAND Flash Memory
Density
512 = 512Mb
01G = 1Gb
02G = 2Gb
04G = 4Gb
08G = 8Gb
Operating Voltage
R = VDD = 1.7 to 1.95V
W = VDD = 2.7 to 3.6V
Bus Width
3 = x8
4 = x16
Family Identifier
B = 2112 Bytes/ 1056 Word Page
Device Options
2 = Chip Enable Don't Care Enabled
3 = Chip Enable Don't Care Enabled and Automatic Page 0 Read at Power-up
Product Version
A = First Version
B= Second Version
C= Third Version
Package
N = TSOP48 12 x 20mm (all devices)
V = USOP48 12 x 17 x 0.65mm (512Mb and 1Gb devices)
ZA = VFBGA63 9.5 x 12 x 1mm, 0.8mm pitch (512Mb and 1Gb devices)
ZB = TFBGA63 9.5 x 12 x 1.2mm, 0.8mm pitch (2Gb Dual Die devices)
ZC = LFBGA63 9.5 x 12 x 1.4mm, 0.8mm pitch (8Gb Quadruple Die devices)
Temperature Range
1 = 0 to 70 °C
6 = –40 to 85 °C
Option
blank = Standard Packing
T = Tape & Reel Packing
E = Lead Free Package, Standard Packing
F = Lead Free Package, Tape & Reel Packing
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND02GW3B3BN1F | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND02GW3B3CN6 | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND04GR3B3BN1F | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BN1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3CN6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NAND04GR3B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND04GR3B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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