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参数资料
| 型号： | NAND02GW3B3CN6 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 42/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND02GW3B3CN6 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 29. Read Status Register AC Waveform
Figure 30. Read Electronic Signature AC Waveform
Note: 1. Refer to Table 14. for the values of the Manufacturer and Device Codes, and to Table 15. for the information contained in Byte4.
tELWL
tDVWH
Status Register
Output
70h/ 72h/
73h/ 74h/ 75h
CL
E
W
R
I/O
tCLHWL
tWHDX
tWLWH
tWHCLL
tCLLRL
tDZRL
tRLQV
tEHQZ
tRHQZ
tWHRL
tELQV
tWHEH
ai08666
(Data Setup time)
(Data Hold time)
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
tRLQV
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
ai08667
(Read ES Access time)
tALLRL1
00h
Byte4
Byte3
Byte1
Byte2
see Note.1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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