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参数资料
| 型号： | NAND02GW3B3CN6 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 46/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND02GW3B3CN6 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
50/59
Figure 33. Block Erase AC Waveform
Note: Address cycle 3 is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices only.
Figure 34. Reset AC Waveform
D0h
60h
SR0
70h
ai08038b
tWHBL
tWLWL
tBLBH3
Block Erase
Setup Command
Block Erase
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
Confirm
Code
Read Status Register
Block Address Input
(Erase Busy time)
(Write Cycle time)
Add.
cycle 1
Add.
cycle 3
Add.
cycle 2
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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