参数资料
型号: NAND08GR3B2AN1F
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: PROM
英文描述: 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
封装: 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件页数: 52/57页
文件大小: 887K
代理商: NAND08GR3B2AN1F
NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
56/57
REVISION HISTORY
Table 30. Document Revision History
Date
Version
Revision Details
25-Feb-2005
1
First Issue
16-Aug-2005
2
Automatic Page 0 Read feature removed throughout document.
LFBGA63 package removed throughout document.
TFBGA63 and VFBGA63 packages updated. Note added to Figure 4., TSOP48
Connections, x8 devices and Figure 5., TSOP48 Connections, x16 devices regarding
the USOP package.
18-Oct-2005
3
512 device and USOP package removed throughout document.
相关PDF资料
PDF描述
NAND04GW4B2AN1E 256M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND02GW4B2AN1T 128M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND04GR4B2CN1F 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND08GW3B2CZL1F 1G X 8 FLASH 3V PROM, 25000 ns, PBGA52
NAND128W3A2BV6E 16M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48
相关代理商/技术参数
参数描述
NAND08GR3B4CZL6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND08GR3B4CZL6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
NAND08GW3B2AN6E 功能描述:闪存 4 GBit 2112 Byte 1056 WP 1.8v/3v RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
NAND08GW3B2AN6F 功能描述:闪存 4 GB 2112B 1056 Word Pg 1.8V/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
NAND08GW3B2BN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND & S.MEDIA FLASH - Trays