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参数资料
| 型号： | NAND128R3A0CV6T |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 36/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND128R3A0CV6T |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 27. Read Status Register AC Waveform
Figure 28. Read Electronic Signature AC Waveform
Note: Refer to Table 12. for the values of the Manufacturer and Device Codes.
tELWL
tDVWH
Status Register
Output
70h
CL
E
W
R
I/O
tCLHWL
tWHDX
tWLWH
tWHCLL
tCLLRL
tDZRL
tRLQV
tEHQZ
tRHQZ
tWHRL
tELQV
tWHEH
ai08032
(Data Setup time)
(Data Hold time)
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
tRLQV
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
Manufacturer and
Device Codes
ai08039b
(Read ES Access time)
tALLRL1
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NAND128W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0AN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0BN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0BN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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