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参数资料
| 型号： | NAND128R4A2BZA6E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| 封装： | 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55 |
| 文件页数： | 21/56页 |
| 文件大小： | 1209K |
| 代理商： | NAND128R4A2BZA6E |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
28/56
Table 11. Status Register Bits
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and De-
vice Code. To read these codes two steps are re-
quired:
1.
first use one Bus Write cycle to issue the Read
Electronic Signature command (90h), followed
by an address input of 00h.
2.
then perform two Bus Read operations – the
first will read the Manufacturer Code and the
second, the Device Code. Further Bus Read
operations will be ignored.
Refer to Table 12., Electronic Signature, for infor-
mation on the addresses.
Table 12. Electronic Signature
Bit
Name
Logic Level
Definition
SR7
Write Protection
'1'
Not Protected
'0'
Protected
SR6
Program/ Erase/ Read
Controller
'1'
P/E/R C inactive, device ready
'0'
P/E/R C active, device busy
SR5, SR4,
SR3, SR2, SR1
Reserved
Don’t Care
SR0
Generic Error
‘1’
Error – operation failed
‘0’
No Error – operation successful
Part Number
Manufacturer
Code
Device code
NAND128W3A
20h
73h
NAND256R3A
20h
35h
NAND256W3A
75h
NAND256R4A
0020h
0045h
NAND256W4A
0055h
NAND512R3A
20h
36h
NAND512W3A
76h
NAND512R4A
0020h
0046h
NAND512W4A
0056h
NAND01GR3A
20h
39h
NAND01GW3A
79h
NAND01GR4A
0020h
0049h
NAND01GW4A
0059h
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND256R4A0DN6T | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
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| NAND256W3A1BZA1E | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63 |
| NAND256W3A1DN1F | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| NAND256W4A1BN1 | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND128W3A0AN6 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0AN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0BN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0BN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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