- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189003 > NAND128R4A2BZA6E (STMICROELECTRONICS) 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND128R4A2BZA6E |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| 封装： | 8 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-55 |
| 文件页数： | 39/56页 |
| 文件大小： | 1209K |
| 代理商： | NAND128R4A2BZA6E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页当前第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
44/56
Figure 31. Block Erase AC Waveform
Note: Address cycle 3 is required for 512Mb and 1Gb devices only.
Figure 32. Reset AC Waveform
D0h
60h
SR0
70h
ai08038b
tWHBL
tWLWL
tBLBH3
Block Erase
Setup Command
Block Erase
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
Confirm
Code
Read Status Register
Block Address Input
(Erase Busy time)
(Write Cycle time)
Add.
cycle 1
Add.
cycle 3
Add.
cycle 2
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND256R4A0DN6T | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48 |
| NAND256R4A2DZA1F | 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63 |
| NAND256W3A1BZA1E | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63 |
| NAND256W3A1DN1F | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
| NAND256W4A1BN1 | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND128W3A0AN6 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0AN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0BN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0BN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。