- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录189002 > NAND128W3A0AN6F (STMICROELECTRONICS) 16M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NAND128W3A0AN6F |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 36/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND128W3A0AN6F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页当前第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页
41/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 27. Read Status Register AC Waveform
Figure 28. Read Electronic Signature AC Waveform
Note: Refer to Table 12. for the values of the Manufacturer and Device Codes.
tELWL
tDVWH
Status Register
Output
70h
CL
E
W
R
I/O
tCLHWL
tWHDX
tWLWH
tWHCLL
tCLLRL
tDZRL
tRLQV
tEHQZ
tRHQZ
tWHRL
tELQV
tWHEH
ai08032
(Data Setup time)
(Data Hold time)
90h
00h
Man.
code
Device
code
CL
E
W
AL
R
I/O
tRLQV
Read Electronic
Signature
Command
1st Cycle
Address
Manufacturer and
Device Codes
ai08039b
(Read ES Access time)
tALLRL1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND128W3A0AV6F | 16M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4A2BZB1F | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND01GR4A2CZB1E | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND256W3A2BV1T | 32M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND01GR4A2BN1T | 64M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND128W3A0BN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 128M(16Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A0BN6F | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A2BDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND128W3A2BN6E | 功能描述:闪存 NAND 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND128W3A2BN6F | 功能描述:闪存 NAND 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。