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参数资料
型号： NAND512R3B3CZA1E
厂商： STMICROELECTRONICS
元件分类： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
封装： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件页数： 18/59页
文件大小： 998K
代理商： NAND512R3B3CZA1E
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 14. Copy Back Program
Figure 15. Page Copy Back Program with Random Data Input
I/O
RB
Source
Add Inputs
ai09858b
85h
Copy Back
Code
Read
Code
Read Status Register
Target
Add Inputs
tBLBH1
(Read Busy time)
Busy
tBLBH2
(Program Busy time)
00h
10h
70h
SR0
Busy
35h
I/O
RB
Source
Add Inputs
ai11001
85h
Read
Code
Target
Add Inputs
tBLBH1
(Read Busy time)
00h
Busy
35h
85h
Data
2 Cycle
Add Inputs
Data
Copy Back
Code
10h
70h
Unlimited number of repetitions
Busy
tBLBH2
(Program Busy time)
SR0
相关PDF资料
PDF描述
NM24W03ULEN 256 X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8
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N34120Z1EBC1S 3 PHASE, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
N3420B1FB1S SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
N3430M1TBC1S SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
相关代理商/技术参数
参数描述
NAND512R4A2CWFD 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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NAND512R4A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512W3A0AN6 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel
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