参数资料
型号: NAND512R3B3CZA1E
厂商: STMICROELECTRONICS
元件分类: PROM
英文描述: 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
封装: 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件页数: 52/59页
文件大小: 998K
代理商: NAND512R3B3CZA1E
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
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Figure 42. LFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Outline
Table 30. LFBGA63 9.5x12mm - 6x8 active ball array, 0.80mm pitch, Package Mechanical Data
Symbol
millimeters
inches
Typ
Min
Max
Typ
Min
Max
A
1.400
0.0551
A1
0.250
0.0098
A2
0.800
0.0315
b
0.450
0.400
0.500
0.0177
0.0157
0.0197
D
8.500
8.400
8.600
0.3346
0.3307
0.3386
D1
4.000
0.1575
D2
7.200
0.2835
ddd
0.100
0.0039
E
15.000
14.900
15.100
0.5906
0.5866
0.5945
E1
5.600
0.2205
E2
8.800
0.3465
e
0.800
0.0315
FD
2.250
0.0886
FD1
0.650
0.0256
FE
4.700
0.1850
FE1
3.100
0.1220
SD
0.400
0.0157
SE
0.400
0.0157
E
D
eb
SD
SE
A2
A1
A
BGA-Z59
ddd
FD1
D2
E2
e
FE
BALL "A1"
FE1
e
E1
D1
FD
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PDF描述
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N3420B1FB1S SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
N3430M1TBC1S SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
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