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参数资料
| 型号： | NAND512R4A2CN6F |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 512兆位，528 Byte/264字的页面，1.8V/3V，NAND闪存芯片 |
| 文件页数： | 1/51页 |
| 文件大小： | 517K |
| 代理商： | NAND512R4A2CN6F |
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February 2007
Rev 1
1/51
1
NAND512R3A2C NAND512R4A2C
NAND512W3A2C NAND512W4A2C
512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page,
1.8V/3V, NAND Flash Memories
Features
●
High density NAND Flash memories
–
512 Mbit memory array
–
Cost effective solutions for mass
storage applications
●
NAND interface
–
x8 or x16 bus width
–
Multiplexed Address/ Data
●
Supply voltage: 1.8V, 3.0V
●
Page size
–
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
–
x16 device: (256 + 8 spare) Words
●
Block size
–
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
–
x16 device: (8K + 256 spare) Words
●
Page Read/Program
–
Random access:
12s (3V)/15s (1.8V) (max)
–
Sequential access:
30ns (3V)/50ns (1.8V) (min)
–
Page Program time: 200s (typ)
●
Copy Back Program mode
●
Fast Block Erase: 2ms (Typ)
●
Status Register
●
Electronic Signature
●
Chip Enable ‘don’t care’
●
Serial Number option
●
Hardware Data Protection
–
Program/Erase locked during Power
transitions
●
Data integrity
–
100,000 Program/Erase cycles (with
ECC)
–
10 years Data Retention
●
ECOPACK packages
●
Development tools
–
Error Correction Code models
–
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
–
Hardware simulation models
FBGA
TSOP48 12 x 20mm
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
Table 1.
Device summary
Reference
Part Number
NAND512-A2C
NAND512R3A2C
NAND512R4A2C(1)
NAND512W3A2C
NAND512W4A2C(1)
1. x16 organization only available for MCP.
www.st.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CZA6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512W3A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512W3A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512R4A2CZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB. 3V X8 NO OPTION TSOP48TSOP-1 48 12X20 AL 42 - Trays |
| NAND512R4A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512W3A0AN6 | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:闪存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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