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参数资料
| 型号： | NAND512W3B3BN6E |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件页数： | 41/59页 |
| 文件大小： | 998K |
| 代理商： | NAND512W3B3BN6E |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
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Figure 27. Data Input Latch AC Waveforms
Note: Data In Last is 2112 in x8 devices and 1056 in x16 devices.
Figure 28. Sequential Data Output after Read AC Waveforms
Note: 1. CL = Low, AL = Low, W = High.
tWHCLH
CL
E
AL
W
I/O
tALLWL
tWLWL
tWLWH
tWHEH
tWLWH
Data In 0
Data In 1
Data In
Last
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
ai08030
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(ALSetup time)
(CL Hold time)
(E Hold time)
E
ai08031
R
I/O
RB
tRLRL
tRLQV
tRHRL
tRLQV
Data Out
tRHQZ
tBHRL
tRLQV
tRHQZ
tEHQZ
(Read Cycle time)
(R Accesstime)
(R High Holdtime)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W3B3BZA6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
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| NAND02GW3B3BZB1F | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512W4A0AN6E | 功能描述:闪存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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| NAND64GW3FGAZN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FULL CUSTOM MCP - Tape and Reel |
| NAND98R3M0CZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
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