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参数资料
| 型号： | NAND512W4A0AV1F |
| 厂商： | NUMONYX |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封装： | 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48 |
| 文件页数： | 40/57页 |
| 文件大小： | 916K |
| 代理商： | NAND512W4A0AV1F |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页当前第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
Figure 32. Block Erase AC Waveform
Note: Address cycle 3 is required for 512Mb and 1Gb devices only.
Figure 33. Reset AC Waveform
D0h
60h
SR0
70h
ai08038b
tWHBL
tWLWL
tBLBH3
Block Erase
Setup Command
Block Erase
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
Confirm
Code
Read Status Register
Block Address Input
(Erase Busy time)
(Write Cycle time)
Add.
cycle 1
Add.
cycle 3
Add.
cycle 2
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512W4A0AV1 | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W4A0BZA1F | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND512W4A0BZB1E | 32M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55 |
| NAND512R3A0CV1F | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512R3A0AN6E | 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NAND512W4A0AZA6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 32MX16 12US 63VFBGA - Trays |
| NAND64GAH0HZA5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND EMMC - Tape and Reel |
| NAND64GW3FGAZN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FULL CUSTOM MCP - Tape and Reel |
| NAND98R3M0CZBB5E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Trays |
| NAND98R3M0CZBB5F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:WIRELESS - Tape and Reel |
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