参数资料
| 型号： | NB100EP223FA |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLOCK BUFFER MUX 2:22 64-LQFP |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2005 |
| 标准包装： | 160 |
| 系列： | 100EP |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配），多路复用器 |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 2:22 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/是 |
| 输入： | HSTL，LVDS，LVPECL |
| 输出： | HSTL |
| 频率 - 最大： | 500MHz |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 64-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 64-LQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | NB100EP223FAOS |
NB100EP223
http://onsemi.com
3
0
1
Figure 2. Logic Diagram
CLK_SEL
HSTL_CLK
LVPECL_CLK
OE
Q0Q21 (HSTL)
Q
D
22
VCC
GND
VCCO
Table 3. ATTRIBUTES
Characteristics
Value
Internal Input Pulldown Resistor
75 kW
Internal Input Pullup Resistor
37.5 kW
ESD Protection
Human Body Model
Machine Model
Charged Device Model
> 2 kV
> 150 V
> 2 kV
Moisture Sensitivity (Note 1)
Pb Pkg
PbFree Pkg
LQFP64
Level 2
Level 3
Flammability Rating
Oxygen Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
Transistor Count
693
Meets or exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test
1. For additional information, refer to Application Note AND8003/D.
Table 4. MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Condition 1
Condition 2
Rating
Unit
VCC
Core Power Supply
GND = 0 V
VCCO = 1.8 V
4
V
VCCO
HSTL Output Power Supply
GND = 0 V
VCC = 3.3 V
4
V
VI
PECL Mode Input Voltage
GND = 0 V
VI ≤ VCC
4
V
Iout
Output Current
Continuous
Surge
50
100
mA
TA
Operating Temperature Range
0 to +85
°C
Tstg
Storage Temperature Range
65 to +150
°C
qJA
Thermal Resistance (JunctiontoAmbient)
(See Application Information)
0 lfpm
500 lfpm
64 LQFP
35.6
30
°C/W
qJC
Thermal Resistance (JunctiontoCase)
(See Application Information)
0 lfpm
500 lfpm
64 LQFP
3.2
6.4
°C/W
Tsol
Wave Solder
Pb
PbFree
265
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
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PDF描述 |
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