参数资料
型号: NB3L553DG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: IC CLK BUFFER 1:4 200MHZ 8-SOIC
标准包装: 98
类型: 扇出缓冲器(分配)
电路数: 1
比率 - 输入:输出: 1:4
差分 - 输入:输出: 无/无
输入: LVCMOS,LVTTL
输出: LVCMOS,LVTTL
频率 - 最大: 200MHz
电源电压: 2.375 V ~ 5.25 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 管件
产品目录页面: 1115 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: NB3L553DG-ND
NB3L553DGOS
NB3L553
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC8 NB
CASE 75107
ISSUE AK
SEATING
PLANE
1
4
5
8
N
J
X 45
_
K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
6. 75101 THRU 75106 ARE OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 75107.
A
B
S
D
H
C
0.10 (0.004)
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
4.80
5.00
0.189
0.197
MILLIMETERS
B
3.80
4.00
0.150
0.157
C
1.35
1.75
0.053
0.069
D
0.33
0.51
0.013
0.020
G
1.27 BSC
0.050 BSC
H
0.10
0.25
0.004
0.010
J
0.19
0.25
0.007
0.010
K
0.40
1.27
0.016
0.050
M
0
8
0
8
N
0.25
0.50
0.010
0.020
S
5.80
6.20
0.228
0.244
X
Y
G
M
Y
M
0.25 (0.010)
Z
Y
M
0.25 (0.010)
Z
S
X S
M
__
1.52
0.060
7.0
0.275
0.6
0.024
1.270
0.050
4.0
0.155
mm
inches
SCALE 6:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
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NB3L553MNR4G 功能描述:时钟缓冲器 1:4 时钟缓冲器 2.5/3.3/5 V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟(最大值): 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel
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