参数资料
| 型号： | NB3N201SDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 14/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK DVR RECEIVER M-LVDS 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 类型： | 缓冲器/驱动器 |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:1 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/是 |
| 输入： | LVCMOS，LVDS |
| 输出： | LVCMOS，LVDS |
| 频率 - 最大： | 200MHz |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NB3N201S, NB3N206S
http://onsemi.com
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Table 3. ATTRIBUTES (Note 1)
Characteristics
Value
ESD
Protection
Human Body Model (JEDEC
Standard 22, Method A114A)
A, B, Y, Z
All Pins
±6 kV
±2 kV
Machine Model
All Pins
±200 V
Charged –Device Model (JEDEC
Standard 22, Method C101)
All Pins
±1500 V
Moisture Sensitivity, Indefinite Time Out of Drypack (Note 1)
Level 1
Flammability Rating
Oxygen Index
UL94 code V0 A 1/8”
28 to 34
Transistor Count
917 Devices
Meets or exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test
1. For additional information, see Application Note AND8003/D.
Table 4. MAXIMUM RATINGS (Note 2)
Symbol
Parameter
Condition 1
Condition 2
Rating
Unit
VCC
Supply Voltage
0.5 ≤ VCC ≤ 4.0
V
VIN
Input Voltage
D, DE, RE
0.5 ≤ VIN ≤ 4.0
V
A, B (201, 206)
1.8 ≤ VIN ≤ 4.0
IOUT
Output Voltage
R
A, B
0.3 ≤ IOUT ≤ 4.0
1.8 ≤ IOUT ≤ 4.0
V
TA
Operating Temperature Range, Industrial
40 to ≤ +85
°C
Tstg
Storage Temperature Range
65 to +150
°C
θJA
Thermal Resistance (JunctiontoAmbient)
0 lfpm
500 lfpm
SOIC8
190
130
°C/W
θJC
Thermal Resistance (JunctiontoCase)
(Note 3)
SOIC8
41 to 44
°C/W
θJA
Thermal Resistance (JunctiontoAmbient)
0 lfpm
500 lfpm
SOIC14
80
°C/W
qJC
Thermal Resistance (JunctiontoCase)
(Note 3)
SOIC14
36
°C/W
Tsol
Wave Solder
265
°C
PD
Power Dissipation (Continuous)
TA = 25°C
25°C < TA < 85°C
TA = 85°C
725
5.8
377
mW
mW/°C
mW
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
2. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and not valid simultaneously.
If stress limits are exceeded device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected.
3. JEDEC standard multilayer board 2S2P (2 signal, 2 power).
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NB3N200SDR2G | IC CLK DVR RECEIVER M-LVDS 8SOIC |
| V300A36H400BL3 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 400W |
| AD5663RBCPZ-3REEL7 | IC DAC NANO 16BIT 1.25V 10-LFCSP |
| V300A36H400BL2 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 400W |
| AD7305BRZ-REEL | IC DAC 8BIT QUAD R-R 20SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NB3N206SDG | 功能描述:时钟缓冲器 M-LVDS DRIVER RECEIVER RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB3N206SDR2G | 功能描述:时钟缓冲器 M-LVDS DRIVER RECEIVER RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB3N2302DG | 功能描述:时钟缓冲器 FREQ MULTIPLIER AND ZDB RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB3N2302DR2G | 功能描述:时钟缓冲器 FREQ MULTIPLIER AND ZDB RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB3N2304ND | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:3.3V 1:4 Clock Fanout Buffer |
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