参数资料
| 型号： | NB6L11DG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFFER TRANSLA 1:2 8-SOIC |
| 标准包装： | 98 |
| 类型： | 扇出缓冲器（分配），变换器 |
| 电路数： | 1 |
| 比率 - 输入:输出： | 1:2 |
| 差分 - 输入:输出： | 是/是 |
| 输入： | CML，LVCMOS，LVDS，LVNECL，LVPECL，LVTTL |
| 输出： | ECL |
| 频率 - 最大： | 6GHz |
| 电源电压： | 2.375 V ~ 3.465 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1115 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NB6L11DG-ND NB6L11DGOS |
NB6L11
http://onsemi.com
2
1
2
3
4
5
6
7
8
D
VEE
VCC
Figure 1. Pinout (Top View) and Logic Diagram
Q0
D
Q1
Q0
R2
R1
Table 1. PIN DESCRIPTION
Pin
Name
I/O
Default State
Description
1
Q0
ECL Output
Noninverted differential clock/data output 0. Typically termin-
ated with 50 W Resistor to VTT = VCC 2 V.
2
Q0
ECL Output
Inverted differential clock/data output 0. Typically terminated with
50 W resistor to VTT = VCC 2 V.
3
Q1
ECL Output
Noninverted differential clock/data output 1. Typically termin-
ated with 50 W resistor to VTT = VCC 2 V.
4
Q1
ECL Output
Inverted differential clock/data output 1. Typically terminated with
50 W resistor to VTT = VCC 2 V.
5
VEE
Negative power supply voltage
6
D
LVDS, CML, LVPECL, LVNECL,
LVCMOS, LVTTL Input
HIGH
Inverted differential clock/data input. Internal 37.5 kW to VCC and
75 kW to VEE.
7
D
LVDS, CML, LVPECL, LVNECL,
LVCMOS, LVTTL Input
LOW
Noninverted differential clock/data input. Internal 75 kW to VCC
and 37.5 kW to VEE.
8
VCC
Positive power supply voltage
Table 2. ATTRIBUTES
Characteristics
Value
Internal Input Resistor R1
37.5 kW
Internal Input Resistor R2
75 kW
ESD Protection
Human Body Model
Machine Model
Charged Device Model
> 2 kV
> 100 V
> 1 kV
Moisture Sensitivity, Indefinite Time Out of Drypack (Note 1)
Pb Pkg
PbFree Pkg
SOIC8
TSSOP8
Level 1
Level 3
Flammability Rating
Oxygen Index: 28 to 34
UL 94 V0 @ 0.125 in
Transistor Count
167 Devices
Meets or exceeds JEDEC Spec EIA/JESD78 IC Latchup Test
1. For additional information, see Application Note AND8003/D.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NB6L11DTG | IC CLK BUFFER TRANSLA 1:2 8TSSOP |
| NB6L14MMNG | IC CLOCK BUFFER 1:4 3GHZ 16-QFN |
| MC100LVEP14DTG | IC CLOCK BUFFER MUX 2:5 20-TSSOP |
| XRD54L10AIDTR-F | IC DAC 10BIT SRL LP 8SOIC |
| MC100EP14DTG | IC CLK BUFF MUX 2:5 2GHZ 20TSSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NB6L11DR2 | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V/3.3V Multilevel RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB6L11DR2G | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V/3.3V Multilevel 1:2 Clock / Fanout RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB6L11DT | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V/3.3V Multilevel RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB6L11DTG | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V/3.3V Multilevel 1:2 Clock / Fanout RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
| NB6L11DTR2 | 功能描述:时钟缓冲器 2.5V/3.3V Multilevel RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:5 最大输入频率:40 MHz 传播延迟（最大值）: 电源电压-最大:3.45 V 电源电压-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:LLP-24 封装:Reel |
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