参数资料
型号: NBSG86AMN
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/17页
文件大小: 0K
描述: IC SMART GATE SIGE DIFF 16QFN
产品变化通告: LTB Notification 06/Feb/2008
标准包装: 123
逻辑类型: 可配置多功能
电路数: 2
输入数: 2
施密特触发器输入:
输出类型: 差分
电源电压: 2.375 V ~ 3.465 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN(3x3)
包装: 管件
其它名称: NBSG86AMNOS
NBSG86A
http://onsemi.com
13
IN
Vth
IN
Vth
Figure 11. Differential Input Driven
SingleEnded
VIH
VIL
VIHmax
VILmax
VIH
Vth
VIL
VIHmin
VILmin
VCC
Vthmax
Vthmin
VEE
Vth
IN
VILDmax
VIHDmax
VIHDtyp
VILDtyp
VIHDmin
VILDmin
VIHCMR
VEE
VID = VIHD VILD
VCC
VIHD
VILD
VID = |VIHD(IN) VILD(IN)|
IN
Figure 12. Differential Inputs
Driven Differentially
Figure 13. Vth Diagram
Figure 14. Differential Inputs Driven
Differentially
Figure 15. VIHCMR Diagram
Figure 16. AC Reference Measurement
IN
VIHCMRmax
VIHCMRmin
IN
D
Q
tPHL
tPLH
VINPP(D) = VIH(D) VIL(D)
VOUTPP(Q) = VOH(Q) VOL(Q)
VINPP(D) = VIH(D) VIL(D)
VOUTPP(Q) = VOH(Q) VOL(Q)
Figure 17. SELx to Qx Timing Diagram
SEL
Qx
tPHL
tPLH
Qx
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PDF描述
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参数描述
NBSG86AMNG 功能描述:逻辑门 2.5V/3.3V SiGe Diff Smart Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量(输入/输出):2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel
NBSG86AMNHTBG 功能描述:逻辑门 BBG SIGE DIF SMRTGTE OUTPUT LEVEL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量(输入/输出):2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel
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NBSG86AMNR2G 功能描述:逻辑门 2.5V/3.3V SiGe Diff Smart Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量(输入/输出):2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel
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