参数资料
型号: NBSG86AMN
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: IC SMART GATE SIGE DIFF 16QFN
产品变化通告: LTB Notification 06/Feb/2008
标准包装: 123
逻辑类型: 可配置多功能
电路数: 2
输入数: 2
施密特触发器输入:
输出类型: 差分
电源电压: 2.375 V ~ 3.465 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 16-QFN(3x3)
包装: 管件
其它名称: NBSG86AMNOS
NBSG86A
http://onsemi.com
15
50 W
VCC
LVDS
Driver
D
50 W
NBSG86A
VEE
VTD
VEE
VTD
Figure 20. LVDS Interface
Figure 21. LVCMOS/LVTTL Interface
50 W
VCC
LVTTL/
LVCMOS
Driver
D
50 W
NBSG86A
VEE
VTD
VCC
VREF
LVCMOS VCC VEE
2
LVTTL 1.5 V
Recommended VREF Values
VTD
VREF
No Connect*
No Connect
*or 60 pF to GND
Z = 50 W
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
NBSG86AMNG 功能描述:逻辑门 2.5V/3.3V SiGe Diff Smart Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量(输入/输出):2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel
NBSG86AMNHTBG 功能描述:逻辑门 BBG SIGE DIF SMRTGTE OUTPUT LEVEL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量(输入/输出):2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel
NBSG86AMNR2 功能描述:逻辑门 2.5V/3.3V SiGe Diff RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量(输入/输出):2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel
NBSG86AMNR2G 功能描述:逻辑门 2.5V/3.3V SiGe Diff Smart Gate RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品:OR 逻辑系列:LVC 栅极数量:2 线路数量(输入/输出):2 / 1 高电平输出电流:- 16 mA 低电平输出电流:16 mA 传播延迟时间:3.8 ns 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:1.65 V 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DCU-8 封装:Reel
NBSP0131 制造商:Schneider Electric 功能描述:WARRANTY - Bulk