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参数资料
| 型号： | NCP1030GEVB |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD FOR NCP1030 |
| 设计资源： | NCP1030EVB Gerber Files NCP1030EVB Schematic NCP1030EVB BOM |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | 特殊用途 DC/DC，以太网供电（POE） |
| 输出及类型： | 1，隔离 |
| 输出电压： | 12V |
| 电流 - 输出： | 170mA |
| 输入电压： | 36 ~ 76V |
| 稳压器拓扑结构： | 回扫 |
| 频率 - 开关： | 250kHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | NCP1030 |
| 其它名称： | NCP1030EVBOS NCP1030EVBOS-ND |
NCP1030, NCP1031
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (V DRAIN = 48 V, V CC = 12 V, C T = 560 pF, V UV = 3 V, V OV = 2 V, V FB = 2.3 V,
V COMP = 2.5 V, T J = --40 ? C to 125 ? C, typical values shown are for T J = 25 ? C unless otherwise noted.) (Note 2)
Characteristics
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OSCILLATOR
Frequency (C T = 560 pF, Note 3)
T J = 25 ? C
T J = --40 ? C to 125 ? C
Frequency (C T = 100 pF)
Charge Current (V CT = 3.25 V)
Discharge Current (V CT = 3.25 V)
Oscillator Ramp
Peak
Valley
f OSC1
f OSC2
I CT(C)
I CT(D)
Vrpk
V rvly
275
260
--
--
--
--
--
300
--
800
215
645
3.5
3.0
325
325
--
--
--
--
--
kHz
kHz
m A
m A
V
PWM COMPARATOR
Maximum Duty Cycle
DC MAX
70
75
80
%
POWER SWITCH CIRCUIT
Power Switch Circuit On--State Resistance (I D = 100 mA)
NCP1030
T J = 25 ? C
T J = 125 ? C
NCP1031
T J = 25 ? C
T J = 125 ? C
Power Switch Circuit and Startup Circuit Breakdown Voltage
(I D = 100 m A, T J = 25 ? C)
Power Switch Circuit and Startup Circuit Off--State Leakage Current
(V DRAIN = 200 V, V UV = 2.0 V)
T J = 25 ? C
T J = --40 to 125 ? C
Switching Characteristics (V DS = 48 V, R L = 100 Ω )
Rise Time
Fall Time
R DS(on)
V (BR)DS
I DS(off)
t r
t f
--
--
--
--
200
--
--
--
--
4.1
6.0
2.1
3.5
--
13
--
22
24
7.0
12
3.0
6.0
--
25
50
--
--
Ω
V
m A
ns
CURRENT LIMIT AND OVER TEMPERATURE PROTECTION
Current Limit Threshold (T J = 25 ? C)
NCP1030 (di/dt = 0.5 A/ m s)
NCP1031 (di/dt = 1.0 A/ m s)
Propagation Delay, Current Limit Threshold to Power Switch Circuit Output
(Leading Edge Blanking plus Current Limit Delay)
Thermal Protection (Note 4)
Shutdown Threshold (T J Increasing)
Hysteresis
I LIM
t PLH
T SHDN
T HYS
350
700
--
--
--
515
1050
100
150
45
680
1360
--
--
--
mA
ns
? C
TOTAL DEVICE
Supply Current After UV Turn--On
Power Switch Enabled
Power Switch Disabled
Non--Fault condition (V FB = 2.7 V)
Fault Condition (V FB = 2.7 V, V UV = 2.0 V)
I CC1
I CC2
I CC3
2.0
--
--
3.0
1.5
0.65
4.0
2.0
1.2
mA
2. Production testing for NCP1030DMR2 is performed at 25 ? C only; limits at --40 ? C and 125 ? C are guaranteed by design.
3. Oscillator frequency can be externally synchronized to the maximum frequency of the device.
4. Guaranteed by design only.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBC18DREN | CONN EDGECARD 36POS .100 EYELET |
| R1D-2405/HP | CONV DC/DC 1W 24VIN +/-05VOUT |
| MAX6034BEXR30+T | IC VREF SERIES PREC 3V SC-70-3 |
| 395-060-540-204 | CARD EDGE 60POS DL .100X.200 BLK |
| 1486B24 | WIRING TROUGH STL 2.5X2.5X24" GR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP1031 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low Power PWM Controller with On−Chip Power Switch and Startup Circuits for 48V Telecom Systems |
| NCP1031DR2 | 功能描述:直流/直流开关转换器 Bias Regulator RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大输入电压:4.5 V 开关频率:1.5 MHz 输出电压:4.6 V 输出电流:250 mA 输出端数量:2 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT |
| NCP1031DR2G | 功能描述:直流/直流开关转换器 Bias Regulator w/On Chip Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大输入电压:4.5 V 开关频率:1.5 MHz 输出电压:4.6 V 输出电流:250 mA 输出端数量:2 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT |
| NCP1031MNTXG | 功能描述:电流型 PWM 控制器 ANA BIAS REGLTR CNTR RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 |
| NCP1031POEEVB | 功能描述:电源管理IC开发工具 EVAL BRD REGULATOR CONTROLLER RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V |
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