参数资料
| 型号： | NCP1380BDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR FLYBK ISO PWM 8SOIC |
| 产品变化通告： | NCP1380 Pulldown Resistor Spec Change 01/Jul/2011 |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 输出数： | 1 |
| 电源电压： | 9 V ~ 28 V |
| 降压： | 无 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 是 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 是 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCP1380BDR2G-ND NCP1380BDR2GOSTR |
NCP1380
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (Unless otherwise noted: For typical values T J = 25 ° C, V CC = 12 V, V ZCD = 0 V,
V FB = 3 V, V CS = 0 V, V fault = 1.5 V, C T = 680 pF) For min/max values T J = ?40 ° C to +125 ° C, Max T J = 150 ° C, V CC = 12 V)
Symbol
Condition
Min
Typ
Max
Unit
CURRENT COMPARATOR ? CURRENT SENSE
V OPP(MAX)
Setpoint decrease for V ZCD = ?300 mV (Note 5)
V ZCD = ?300 mV, V FB = 4 V,
35
37.5
40
%
V CS increasing
V CS(stop)
t BCS
Threshold for immediate fault protection activation
Leading Edge Blanking Duration for V CS(stop)
1.125
?
1.200
120
1.275
?
V
ns
DRIVE OUTPUT ? GATE DRIVE
Drive Resistance
W
R SNK
R SRC
DRV Sink
DRV Source
V DRV = 10 V
V DRV = 2 V
?
?
12.5
20
?
?
Drive current capability
mA
I SNK
I SRC
DRV Sink
DRV Source
V DRV = 10 V
V DRV = 2 V
?
?
800
500
?
?
t r
Rise Time (10% to 90%)
C DRV = 1 nF, V DRV from 0 to
?
40
75
ns
12 V
t f
Fall Time (90% to 10%)
C DRV = 1 nF, V DRV from 0 to
?
25
60
ns
12 V
V DRV(low)
V DRV(high)
DRV Low Voltage
DRV High Voltage (Note 6)
V CC = V CC(off) + 0.2 V
C DRV = 1 nF, R DRV = 33 k W
V CC = V CC(MAX)
8.4
10.5
9.1
13.0
?
15.5
V
V
C DRV = 1 nF
DEMAGNETIZATION INPUT ? ZERO VOLTAGE DETECTION CIRCUIT
V ZCD(TH)
V ZCD(HYS)
ZCD threshold voltage
ZCD hysteresis
V ZCD decreasing
V ZCD increasing
35
15
55
35
90
55
mV
mV
Input clamp voltage
V
V CH
V CL
High state
Low state
I pin1 = 3.0 mA
I pin1 = ?2.0 mA
8
?0.9
10
?0.7
12
?0.3
t DEM
Propagation Delay
V ZCD decreasing from 4 V to
?
150
250
ns
?0.3 V
C PAR
t BLANK
Internal input capacitance
Blanking delay after on?time
?
2.30
10
3.15
?
4.00
pF
m s
t outSS
t out
R ZCD(pdown)
Timeout after last demag transition
Pulldown resistor (Note 3)
During soft?start
After the end of soft?start
28
5.0
140
41
5.9
320
54
6.7
700
m s
k W
TIMING CAPACITOR
V CT(MAX)
I CT
V CT(MIN)
Maximum voltage on C T pin
Source current
Minimum voltage on C T pin, discharge switch
V FB < V FB(TH)
V CT = 0 V
5.15
18
?
5.40
20
?
5.65
22
90
V
m A
mV
activated
C T
Recommended timing capacitor value
220
pF
FEEDBACK SECTION
R FB(pullup)
I ratio
V FB(TH)
Internal pullup resistor
Pin FB to current setpoint division ratio
FB pin threshold under which C T is clamped to
15
3.8
0.26
18
4.0
0.3
22
4.2
0.34
k W
V
V CT(MAX)
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCP1380BGEVB | 功能描述:电源管理IC开发工具 NCP1380B 19V QR CONTROLLER RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V |
| NCP1380CDR2G | 功能描述:电流型 PWM 控制器 QUASI-RES CUR MODE CONTRL RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关频率:27 KHz 上升时间: 下降时间: 工作电源电压:6 V to 15 V 工作电源电流:1.5 mA 输出端数量:1 最大工作温度:+ 105 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSSOP-14 |
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| NCP1381 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Low−Standby High Performance PWM Controller |
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