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参数资料
| 型号： | NCP1582DR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 400kHz |
| 占空比： | 80% |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 13.2 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP1582, NCP1582A, NCP1583
BST
UVLO
FAULT
+
-
+
-
2V
2V
TG
PHASE
V CC
BG
PWM
OUT
UVLO
FAULT
Figure 11. Block Diagram of Gate Driver
and Non ? Overlap Circuitry
GND
Careful selection and layout of external components is
required, to realize the full benefit of the onboard drivers.
The capacitors between V CC and GND and between BST
and SWN must be placed as close as possible to the IC. The
current paths for the TG and BG connections must be
optimized. A ground plane should be placed on the closest
layer for return currents to GND in order to reduce loop area
and inductance in the gate drive circuit.
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP1582DR2GEVB | 功能描述:电源管理IC开发工具 ANA SWITCH REG EVAL BOARD RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V |
| NCP1583DR2G | 功能描述:电压模式 PWM 控制器 BUCK CONTROLLER RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:1 拓扑结构:Buck 输出电压:34 V 输出电流: 开关频率: 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V 电源电流:600 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| NCP1583DR2GEVB | 功能描述:电源管理IC开发工具 ANA SWITCH REG EVAL BOARD RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V |
| NCP1586DR2G | 功能描述:IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- PWM 型:电流模式 输出数:1 频率 - 最大:500kHz 占空比:100% 电源电压:8.2 V ~ 30 V 降压:无 升压:无 回扫:是 反相:无 倍增器:无 除法器:无 Cuk:无 隔离:是 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-DIP（0.300"，7.62mm） 包装:管件 产品目录页面:1316 (CN2011-ZH PDF) |
| NCP1586DR2GH | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
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