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参数资料
| 型号： | NCP1605FORWGEVB |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | EVAL BOARD FOR NCP1605FORWG |
| 设计资源： | NCP1605FORWGEVB BOM NCP1605FORWGEVB Gerber Files NCP1605 EVB Schematic |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | AC/DC，主面和辅面，带 PFC |
| 输出及类型： | 1，隔离 |
| 输出电压： | 19V |
| 电流 - 输出： | 8A |
| 输入电压： | 90 ~ 265VAC |
| 稳压器拓扑结构： | 正向转换器 |
| 频率 - 开关： | 133kHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | NCP1217，NCP1605 |
| 其它名称： | NCP1605FORWGEVBOS |
NCP1217, NCP1217A
Latchoff
Adj
1
+
--
Comparator
HV
8
+
--
3.1 V
Set
Latch
Reset
UVLO
HV Current
Source
FB
2
80 k
1.1 V
+
--
Skip Cycle
Comparator
Internal V CC
UVLO High and Low
NC
7
24 k
Current
Sense
3
250 ns
L.E.B.
65--100--133 kHz
Clock
Set
Reset
Q Flip--Flop
DCmax = 74%
Reset
Q
Overload
Management
V CC
6
19 k
Ramp
Compensation
20 k
57 k
+
--
Ground
4
+
--
V REF
25 k
1V
1ms SS*
? 500 mA
Drv
5
* Available for “A” version only
Figure 2. Internal Circuit Architecture
MAXIMUM RATINGS
Rating
Power Supply Voltage
Power Supply Voltage on All Other Pins Except Pin 8 (HV), Pin 6 (V CC ) and Pin 5 (Drv)
Maximum Voltage on Pin 8 (HV), Pin 6 (V CC ) Decoupled to Ground with 10 m F
Maximum Voltage on Pin 8 (HV), Pin 6 (V CC ) Grounded
Minimum Operating Voltage on Pin 8 (HV)
Maximum Current into All Pins Except V CC (6) and HV (8) when 10 V ESD Diodes are Activated
Thermal Resistance, Junction--to--Case
Thermal Resistance, Junction--to--Air, PDIP--7 Version
Thermal Resistance, Junction--to--Air, SO--8 Version
Maximum Junction Temperature
Temperature Shutdown
Hysteresis in Shutdown
Storage Temperature Range
ESD Capability, HBM Model (All Pins Except V CC and HV)
ESD Capability, Machine Model
Symbol
V CC
--
V HV
V HV
--
R θ JC
R θ JA
R θ JA
T JMAX
--
--
--
--
--
Value
16
--0.3 to 10
500
450
28
5.0
57
100
178
150
155
30
--60 to +150
2.0
200
Unit
V
V
V
V
V
mA
? C/W
? C/W
? C
? C
? C
? C
kV
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
http://onsemi.com
3
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