参数资料
| 型号： | NCP1608BOOSTGEVB |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL NCP1608 100W BOOST |
| 设计资源： | NCP1608BOOSTGEVB Schematic NCP1608BOOSTGEVB Gerber Files NCP1608BOOSTGEVB Bill of Materials |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | 电源管理，功率因数校正 |
| 嵌入式： | 否 |
| 已用 IC / 零件： | NCP1608 |
| 主要属性： | 100 W，85 ~ 265 VAC 输入，400 VDC 稳压输出 |
| 已供物品： | 板 |
| 其它名称： | NCP1608BOOSTGEVB-ND NCP1608BOOSTGEVBOS |
NCP1608
TYPICAL CHARACTERISTICS
6.0
5.5
170
160
150
140
5.0
130
4.5
120
110
4.0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0.520
0.515
0.510
0.505
0.500
0.495
0.490
0.485
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 15. Ct Peak Voltage vs. Junction
Temperature
220
210
200
190
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 16. PWM Propagation Delay vs.
Junction Temperature
0.480
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
180
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
190
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 17. Current Sense Voltage Threshold
vs. Junction Temperature
18
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 18. Leading Edge Blanking Duration vs.
Junction Temperature
185
180
175
170
165
160
155
16
14
12
10
8
6
4
2
R OH
R OL
150
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 19. Maximum Off Time in Absence of
ZCD Transition vs. Junction Temperature
http://onsemi.com
8
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 20. Drive Resistance vs. Junction
Temperature
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCP1611BDR2G | 功能描述:功率因数校正 IC NCP1611A ENHANCED PFC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 开关频率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Reel |
| NCP1611GEVB | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PG - ACDC CONVERSION - Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:EVAL BOARD, NCP1611, POWER FACTOR CORRECTION; Silicon Manufacturer:On Semiconductor; Silicon Core Number:NCP1611; Kit Application Type:Power Management; Application Sub Type:Power Factor Correction (PFC) ;RoHS Compliant: Yes |
| NCP1612ADR2G | 功能描述:功率因数校正 IC RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 开关频率:300 KHz 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Reel |
| NCP1612BDR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:ENHANCED HIGH-EFFICIENCY - Tape and Reel |
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