参数资料
| 型号： | NCP2809BDMR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 23/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC AMP STEREO AUD 135ME MICRO-10 |
| 产品变化通告： | LTB Notification 03/Jan/2008 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 系列： | NOCAP™ |
| 类型： | AB 类 |
| 输出类型： | 耳机，2-通道（立体声） |
| 在某负载时最大输出功率 x 通道数量： | 135mW x 2 @ 16 欧姆 |
| 电源电压： | 2.2 V ~ 5.5 V |
| 特点： | 消除爆音，短路保护和热保护，关闭 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | 10-微型 |
| 封装/外壳： | 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP2809 Series
http://onsemi.com
8
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.001
0.01
0.1
1
10
THD+N
(%)
OUTPUT POWER (mW)
10
30
40
50
020
0.001
0.01
0.1
1
10
THD+N
(%)
OUTPUT POWER (mW)
10
20
30
35
0
515
25
0.001
0.01
0.1
1
10
THD+N
(%)
OUTPUT POWER (mW)
0.001
0.01
0.1
1
10
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Figure 12. THD+N vs. Power Out
Vp = 5.0 V, RL = 16 W, 1.0 kHz
Figure 13. THD+N vs. Power Out
Vp = 5.0 V, RL = 32 W, 1.0 kHz
0
10
203040
50607080
90
Figure 14. THD+N vs. Power Out
Vp = 3.3 V, RL = 16 W, 1.0 kHz
Figure 15. THD+N vs. Power Out
Vp = 3.3 V, RL = 32 W, 1.0 kHz
10
20
30
40
Figure 16. THD+N vs. Power Out
Vp = 3.0 V, RL = 16 W, 1.0 kHz
Figure 17. THD+N vs. Power Out
Vp = 3.0 V, RL = 32 W, 1.0 kHz
THD+N
(%)
OUTPUT POWER (mW)
0.001
0.01
0.1
1
10
0
THD+N
(%)
OUTPUT POWER (mW)
0.001
0.01
0.1
1
10
THD+N
(%)
OUTPUT POWER (mW)
0
10
30
40
50
020
60
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCP2811 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:NOCAP Advanced Stereo Headphone Amplifier |
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