- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17368 > NCP3011GEVB (ON Semiconductor)BOARD EVAL NCP3011 BUCK CTLR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NCP3011GEVB |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL NCP3011 BUCK CTLR |
| 设计资源： | NCP3011GEVB Schematic NCP3011GEVB Gerber Files NCP3011GEVB Bill of Materials |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | DC/DC，步降 |
| 输出及类型： | 1，非隔离 |
| 输出电压： | 3.3V |
| 电流 - 输出： | 10A |
| 输入电压： | 9 ~ 18 V |
| 稳压器拓扑结构： | 降压 |
| 频率 - 开关： | 400kHz |
| 板类型： | 完全填充 |
| 已供物品： | 板 |
| 已用 IC / 零件： | NCP3011 |
| 其它名称： | NCP3011GEVB-ND NCP3011GEVBOS |
第1页第2页第3页第4页第5页当前第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
NCP3011, NCV3011
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( ? 40 ° C < T J < +125 ° C, V CC = 12 V, for min/max values unless otherwise noted)
Characteristic
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ERROR AMPLIFIER (GM)
Transconductance
0.9
1.33
1.9
mS
Open Loop dc Gain
Output Source Current
Output Sink Current
FB Input Bias Current
Feedback Voltage
COMP High Voltage
COMP Low Voltage
(Notes 4 and 6)
T J = 25 C
? 40 ° C < T J < +125 ° C,
4.7 V < V IN < 28 V
V FB = 0.75 V
V FB = 0.85 V
?
45
45
?
0.792
0.788
4.0
?
70
70
70
0.5
0.8
0.8
4.4
60
?
100
100
500
0.808
0.812
5.0
?
dB
m A
m A
nA
V
V
V
mV
OUTPUT VOLTAGE FAULTS
Feedback OOV Threshold
Feedback OUV Threshold
0.9
0.55
1.0
0.59
1.1
0.65
V
V
OVER CURRENT
ISET Source Current
7.0
14
18
m A
Current Limit Set Voltage (Note 5)
R SET = 22.2 k W
140
240
360
mV
GATE DRIVERS AND BOOST CLAMP
HSDRV Pullup Resistance
HSDRV Pulldown Resistance
LSDRV Pullup Resistance
LSDRV Pulldown Resistance
HSDRV falling to LSDRV Rising
Delay
LSDRV Falling to HSDRV Rising
Delay
Boost Clamp Voltage
V CC = 8 V and V BST = 7.5 V
V SW = GND
100 mA out of HSDR pin
V CC = 8 V and V BST = 7.5 V
V SW = GND
100 mA into HSDR pin
V CC = 8 V and V BST = 7.5 V
V SW = GND
100 mA out of LSDR pin
V CC = 8 V and V BST = 7.5 V
V SW = GND
100 mA into LSDR pin
V CC and V BST = 8 V
V CC and V BST = 8 V
V IN = 12 V, V SW = GND, V COMP = 1.3 V
4.0
2.5
3.0
1.0
50
60
5.5
10.5
5.0
8.9
2.8
85
85
7.5
20
11.5
16
6.0
110
120
9.6
W
W
W
W
ns
ns
V
THERMAL SHUTDOWN
Thermal Shutdown
Hysteresis
(Notes 4 and 7)
(Notes 4 and 7)
?
?
150
15
?
?
° C
° C
4.
5.
6.
7.
Guaranteed by design.
The voltage sensed across the high side MOSFET during conduction.
This assumes 100 pF capacitance to ground on the COMP Pin and a typical internal R o of > 10 M W .
This is not a protection feature.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MIC2505BM | IC SW HIGH SIDE SGL 2A 8SOIC |
| MIC2505-2BM | IC SW HIGH SIDE SGL 2A 8SOIC |
| MIC2505-1BM | IC SW HIGH SIDE SGL 2A 8SOIC |
| TAAB106K020G | CAP TANT 10UF 20V 10% AXIAL |
| MC34063LBBEVB | EVAL BOARD FOR MC34063LBB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP3012 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Synchronous PWM Controller |
| NCP3012DTBR2G | 功能描述:电压模式 PWM 控制器 Single Output Buck 0.8V to 40V 70uA RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:1 拓扑结构:Buck 输出电压:34 V 输出电流: 开关频率: 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V 电源电流:600 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| NCP301HSN09T1 | 功能描述:电压监测器/监控器 0.9V Detector RoHS:否 制造商:Texas Instruments 监测电压数:2 监测电压:Adjustable 输出类型:Open Drain 欠电压阈值: 过电压阈值: 准确性:1 % 工作电源电压:1.5 V to 6.5 V 工作电源电流:1.8 uA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SON-6 安装风格:SMD/SMT |
| NCP301HSN09T1G | 功能描述:电压监测器/监控器 0.9V Detector w/Reset High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 监测电压数:2 监测电压:Adjustable 输出类型:Open Drain 欠电压阈值: 过电压阈值: 准确性:1 % 工作电源电压:1.5 V to 6.5 V 工作电源电流:1.8 uA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SON-6 安装风格:SMD/SMT |
| NCP301HSN10T1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Voltage Detector Series |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。