参数资料
| 型号： | NCP330MUTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LOAD SWITCH FET 3A 4UDFN |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | * |
NCP330
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Min & Max Limits apply for T A between ? 40 ° C to +85 ° C and T J up to + 125 ° C for VIN between
1.8 V to 5.5 V (Unless otherwise noted). Typical values are referenced to T A = + 25 ° C and VIN = 5 V.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
POWER SWITCH
R DS(on)
Static drain ? source on ? state
resistance
V IN = 3 V,
V IN = 5 V
T J = 25 ° C
? 40 ° C < T J < 125 ° C
26
50
m W
T R
T F
T on
Output rise time
Output fall time
Gate turn on
V IN = 5 V
V IN = 5 V
V IN = 5 V
C LOAD = 1 m F,
R LOAD = 125 W (Note 8)
C LOAD = 100 m F,
R LOAD = 40 W (Note 8)
From Vin applied to V OUT =
10% of fully on
0.5
0.5
2
4
2
4
4
ms
ms
ms
ENABLE INPUT EN
V IN = 3 V
From Vin applied to V OUT =
10% of fully on (Note 9)
3
V IH
V IL
R pd
R pu
High ? level input voltage
Low ? level input voltage
En pull ? down resistor
En pull ? up resistor
1.15
1
1.5
0.85
V
V
M W
M W
REVERSE ? LEAKAGE PROTECTION
I REV
Reverse ? current protection
V IN = 0 V, V out = 4.2 V (part disable), T J = 25 ° C
0.15
1
m A
QUIESCENT CURRENT
Iq
Current consumption
No load
100
200
m A
8. Parameters are guaranteed for C LOAD and R LOAD connected to the OUT pin with respect to the ground.
9. Guaranteed by characterization.
http://onsemi.com
4
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