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参数资料
| 型号： | NCP3418APDR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 19/Dec/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 30ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 30V |
| 电源电压： | 4.6 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP3418, NCP3418A
OD
DRVH
or
DRVL
IN
t pdlOD
90%
Figure 2. Output Disable Timing Diagram
t pdhOD
10%
DRVL
t pdlDRVL t fDRVL
90%
1.5 V
10%
t pdlDRVH
10%
t rDRVL
90%
t pdhDRVH
t rDRVH
90%
90%
t fDRVH
DRVH--SW
SW
10%
4V
10%
t pdhDRVL
Figure 3. Nonoverlap Timing Diagram (timing is referenced to the 90% and 10% points unless otherwise noted)
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCP3418BMNR2G | 功能描述:功率驱动器IC 12V MOSFET DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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| NCP3418DR2 | 功能描述:IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 系列:- 标准包装:95 系列:- 配置:半桥 输入类型:PWM 延迟时间:25ns 电流 - 峰:1.6A 配置数:1 输出数:2 高端电压 - 最大（自引导启动）:118V 电源电压:9 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:管件 产品目录页面:1282 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:*LM5104M*LM5104M/NOPBLM5104M |
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