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参数资料
| 型号： | NCP3418DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 31/Mar/2005 |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | PWM |
| 延迟时间： | 30ns |
| 电流 - 峰： | 1.5A |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 30V |
| 电源电压： | 4.6 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCP3418DR2CT |
NCP3418, NCP3418A
OD
DRVH
or
DRVL
IN
t pdlOD
90%
Figure 2. Output Disable Timing Diagram
t pdhOD
10%
DRVL
t pdlDRVL t fDRVL
90%
1.5 V
10%
t pdlDRVH
10%
t rDRVL
90%
t pdhDRVH
t rDRVH
90%
90%
t fDRVH
DRVH--SW
SW
10%
4V
10%
t pdhDRVL
Figure 3. Nonoverlap Timing Diagram (timing is referenced to the 90% and 10% points unless otherwise noted)
http://onsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCP3420DR2G | IC MOSFET DRIVER DUAL 12V 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP3418DR2G | 功能描述:功率驱动器IC ANA 12V MOSFET DR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP3418PDR2 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| NCP341MUTBG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Controlled Load Switch Soft-Start |
| NCP3420DR2G | 功能描述:功率驱动器IC TSMC 12V FET DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP3420DR2G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NCP Series 1.8 Ohm 13.2 V Surface Mount MOSFET Driver with Dual Outputs - SOIC-8 |
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