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参数资料
| 型号： | NCP5111PG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-PDIP |
| 标准包装： | 50 |
| 配置： | 半桥 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 750ns |
| 电流 - 峰： | 250mA |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 600V |
| 电源电压： | 10 V ~ 20 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 8-PDIP |
| 包装： | 管件 |
NCP5111
CHARACTERIZATION CURVES
25
20
C LOAD = 1 nF/Q = 15 nC
35
30
C LOAD = 2.2 nF/Q = 33 n C
R GATE = 0 R
25
15
10
20
15
10
R GATE = 10 R
R GATE = 22 R
5
R GATE = 0 R to 22 R
5
0
0
100
200
300
400
500
600
0
0
100
200 300 400 500
600
50
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
Figure 43. I CC1 Consumption vs. Switching
Frequency with 15 nC Load on Each Driver @
V CC = 15 V
70
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
Figure 44. I CC1 Consumption vs. Switching
Frequency with 33 nC Load on Each Driver @
V CC = 15 V
45
40
C LOAD = 3.3 nF/Q = 50 n C
R GATE = 0 R
60
C LOAD = 6.6 nF/Q = 100 n C
35
50
30
R GATE = 10 R
40
R GATE = 10 R
25
20
15
R GATE = 22 R
30
20
R GATE = 22 R
R GATE = 0 R
10
5
10
0
0
100
200
300
400
500
600
0
0
100
200 300 400 500
600
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
Figure 45. I CC1 Consumption vs. Switching
Frequency with 50 nC Load on Each Driver @
V CC = 15 V
SWITCHING FREQUENCY (kHz)
Figure 46. I CC1 Consumption vs. Switching
Frequency with 100 nC Load on Each Driver @
V CC = 15 V
http://onsemi.com
12
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| UGB10CCT-E3/45 | DIODE 10A 150V 20NS DUAL UF |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NCP51199PDR2G | 功能描述:线性稳压器 - 标准 DDR 2Amp Source Sink VTT Termination Reg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L |
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| NCP511SN15T1G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO 1.5V 150mA CMOS w/Enable RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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