参数资料
| 型号： | NCP5208DR2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG TERM DDR-I/II 1.7V 8SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 控制器，DDR，DDR2 |
| 输入电压： | 1.7 V ~ 5.5 V |
| 输出数： | 2 |
| 输出电压： | 0.9 V，1.25V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NCP5208DR2OS |
NCP5208
TYPICAL OPERATING CHARACTERISTICS
55
52
49
46
43
40
PV IN = AV IN = V DDQ = 2.5 V
IVTT = 0 A
0
10
20
30
40
50
60
70
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 9. V DDQ Input Impedance vs. Ambient
Temperature
TYPICAL OPERATING WAVEFORMS
0.4 ms ON, 1.6 ms OFF
(PV IN = AV IN = V DDQ = 1.8 V)
Upper Trace: VTT Output Waveform, 50 mV/Division, AC Coupled
Lower Trace: Loading Current, IVTT, 500 mA/Division
Figure 10. VTT Current Source Transient
0.4 ms ON, 1.6 ms OFF
(PV IN = AV IN = V DDQ = 2.5 V)
Upper Trace: VTT Output Waveform, 50 mV/Division, AC Coupled
Lower Trace: Loading Current, IVTT, 1 A/Division
Figure 12. VTT Current Source Transient
0.4 ms ON, 1.6 ms OFF
(PV IN = AV IN = V DDQ = 1.8 V)
Upper Trace: VTT Output Waveform, 50 mV/Division, AC Coupled
Lower Trace: Loading Current, IVTT, 500 mA/Division
Figure 11. VTT Current Sink Transient
0.4 ms ON, 1.6 ms OFF
(PV IN = AV IN = V DDQ = 2.5 V)
Upper Trace: VTT Output Waveform, 50 mV/Division, AC Coupled
Lower Trace: Loading Current, IVTT, 1 A/Division
Figure 13. VTT Current Sink Transient
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5208DR2G | 功能描述:线性稳压器 - 标准 DDR-I/II Termination RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 输出类型: 极性: 输出电压:1.8 V 输出电流:150 mA 负载调节: 最大输入电压:5.5 V 线路调整率: 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-323-5L |
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| NCP5210MNR2 | 功能描述:DC/DC 开关控制器 3-in-1 DDR Power RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输入电压:6 V to 100 V 开关频率: 输出电压:1.215 V to 80 V 输出电流:3.5 A 输出端数量:1 最大工作温度:+ 125 C 安装风格: 封装 / 箱体:CPAK |
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