参数资料
| 型号： | NCP5214MNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC CTLR NOTEBOOK DDR PWR 22-DFN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 01/Oct/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 控制器，DDR |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 24 V |
| 输出数： | 2 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 22-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 22-DFN（6x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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NCP5214
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (continued) (V IN = 12 V, T A = ?40 to 85 _ C, V CCA = V CCP = V BOOST ? V SWDDQ = 5.0 V,
L = 1.8 m H, C OUT1 = 150 m F x 2, C OUT2 = 22 m F x 2, RL1 = 5.6 k W , R1 = 4.3 k W , R2 = 3.3 k W , RZ1 = 10 k W , RZ2 = 130 W , CP1 = 100 pF,
CZ1 = 2.2 nF, CZ2 = 4.7 nF, for min/max values unless otherwise noted. Typical values are at T A = 25 _ C.)
Characteristic
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
ERROR AMPLIFIER
DC Gain
Unity Gain Bandwidth
GAIN
Ft
(Note 5)
COMP_GND = 220 nF,
?
?
70
2.0
?
?
dB
MHz
1.0 W in Series (Note 5)
Slew Rate
SR
(Note 5)
?
3.0
?
V/ m S
GATE DRIVERS
TGDDQ Gate Pull?HIGH Resistance
R H_TG
V BOOST ? V SWDDQ = 5.0 V,
?
1.8
4.0
W
V TGDDQ ? V SWDDQ = 4.0 V
TGDDQ Gate Pull?LOW Resistance
R L_TG
V BOOST ? V SWDDQ = 5.0 V,
?
1.8
4.0
W
V TGDDQ ? V SWDDQ = 1.0 V
BGDDQ Gate Pull?HIGH Resistance
BGDDQ Gate Pull?LOW Resistance
R H_BG
R L_BG
V CCP = 5.0 V, V BGDDQ = 4.0 V
V CCP = 5.0 V, V BGDDQ = 1.0 V
?
?
1.8
0.9
4.0
3.0
W
W
V TT ACTIVE TERMINATOR
V TT with Respect to 1/2V DDQREF
d VTT0
1/2VDDQREF – V TT ,
mV
VDDQREF = 2.5 V,
I VTT = 0 to 2.4 A
(Sink Current)
?30
?
?
I VTT = 0 to –2.4 A
(Source Current)
1/2VDDQREF – V TT ,
?
?
30
mV
VDDQREF = 1.8 V,
I VTT = 0 to 2.0 A
(Sink Current)
?30
?
?
I VTT = 0 to –2.0 A
(Source Current)
?
?
30
DDQREF Input Resistance
Source Current Limit
Sink Current Limit
Soft?Start Source Current Limit
Maximum Soft?Start Time
DDQREF_R
I LIMVTsrc
I LIMVTsnk
I LIMVTSS
t ssvttmax
VDDQREF = 2.5 V
?
?
?
?
40
2.5
2.5
?
?
55
3.0
3.0
1.0
0.32
75
?
?
?
?
k W
A
A
A
ms
V TTREF OUTPUT
V TTREF Source Current
V TTREF Accuracy Referred to 1/2V DDQREF
I VTTR
d VTTR
VDDQREF = 1.8 V or 2.5 V
1/2VDDQREF – V TTR ,
15
?25
?
?
?
25
mA
mV
VDDQREF = 2.5 V,
I VTTR = 0 mA to 15 mA
1/2VDDQREF – V TTR ,
?18
?
18
mV
VDDQREF = 1.8 V,
I VTTR = 0 mA to 15 mA
5. Guaranteed by design, not tested in production.
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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