参数资料
| 型号： | NCP5392QMNR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 11/30页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PHASE CONTROLLER 2/3/4 40-QFN |
| 标准包装： | 2,500 |
| 应用： | 控制器，Intel VR11，VR11.1，AMD CPU |
| 输入电压： | 4.75 V ~ 5.25 V |
| 输出数： | 4 |
| 输出电压： | 0.375 V ~ 1.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 40-VFQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 40-QFN（6x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
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NCP5392Q
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Unless otherwise stated: 0 ? C < T A < 85 ? C; 4.75 V < V CC < 5.25 V; All DAC Codes; C VCC = 0.1 m F)
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IMON
V DRP to IMON Gain
V DRP to IMON --3 dB Bandwidth
Output Referred Offset Voltage
Minimum Output Voltage
Output source current (Note 3)
Output sink current (Note 3)
Maximum Clamp Voltage
1.325 V< V DRP < 1.8 V
C L = 30 pF to GND,
R L = 100 k Ω to GND
V DRP = 1.6 V, I SOURCE = 0 mA
V DRP = 1.2 V, I SINK = 100 m A
V out = 1 V
V out = 0.3 V
V DRP Voltage = 2 V,
R LOAD = 100 k
1.98
--
81
--
300
300
--
2
4
90
--
--
--
--
2.02
99
0.11
--
--
1.15
V/V
MHz
mV
V
m A
m A
V
OSCILLATOR
Switching Frequency Range (Note 3)
100
--
1000
kHz
Switching Frequency Accuracy 2-- or
4--Phase
Switching Frequency Accuracy
3--Phase
R OSC Output Voltage
R OSC = 49.9 k Ω
R OSC = 24.9 k Ω
R OSC = 10 k Ω
R OSC = 49.9 k Ω
R OSC = 24.9 k Ω
R OSC = 10 k Ω
200
374
800
191
354
755
1.95
--
--
--
--
--
--
2.01
224
414
978
234
434
1000
2.065
kHz
kHz
V
MODULATORS (PWM Comparators)
Minimum Pulse Width
Propagation Delay
0% Duty Cycle
100% Duty Cycle
PWM Ramp Duty Cycle Matching
PWM Phase Angle Error (Note 3)
F SW = 800 KHz
? 20 mV of Overdrive
COMP Voltage when the PWM
Outputs Remain LO
COMP Voltage when the PWM
Outputs Remain HI
Between Any Two Phases
Between Adjacent Phases
--
--
--
--
--
15
30
10
1.3
2.3
90
--
--
--
--
--
--
15
ns
ns
V
V
%
?
VR_RDY (POWER GOOD) OUTPUT
VR_RDY Output Saturation Voltage
VR_RDY Rise Time (Note 3)
VR_RDY Output Voltage at Powerup
(Note 3)
VR_RDY High – Output Leakage
Current (Note 3)
VR_RDY Upper Threshold Voltage
VR_RDY Lower Threshold Voltage
VR_RDY Rising Delay
VR_RDY Falling Delay
I PGD = 10 mA,
External Pullup of 1 k Ω to 1.25
V, C TOT = 45 pF, Δ V o = 10% to
90%
VR_RDY Pulled up to 5 V via
2 k Ω , t R(VCC) ? 3 x t R(5V)
100 m s ? tR(V CC ) ? 20 ms
VR_RDY = 5.5 V via 1 K
VCore Increasing, DAC = 1.3 V
VCore Decreasing
DAC = 1.3 V
VCore Increasing
VCore Decreasing
--
--
--
--
--
410
--
--
--
100
--
--
310
370
500
5
0.4
150
1.0
0.2
270
--
--
V
ns
V
m A
mV
Below
DAC
mV
Below
DAC
m s
m s
PWM OUTPUTS
Output High Voltage
Mid Output Voltage
Sourcing 500 m A
3.0
1.4
--
1.5
--
1.6
V
V
3. Guaranteed by design, not tested in production.
http://onsemi.com
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