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参数资料
| 型号： | NCP5901BMNTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 25ns |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 35V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -10°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP5901BMNTBGOSDKR |
NCP5901B
12V_POWER
TP1
R1
1.02
R164
0.0
C4
0.027uF
TP2
Q1
NTMFS4821N
C1
4.7uF
C2
4.7uF
C3
4.7uF
+
CE9
390uF
R143
NCP5901B TP3
R142
TP6
TP4
PWM
DRON
0.0
BST HG
PWM SW
EN GND
VREG_SW1_HG
VREG_SW1_OUT
TP7
0.0
TP5
R3
L
235nH
VCCP
VCC
PAD
LG
VREG_SW1_LG
Q9
NTMFS4851N
Q10
NTMFS4851N
2.2
JP13_ETCH CSN11
C5
1uF
TP8
C6
2700pF
JP14_ETCH CSP11
Figure 3. Application Circuit
Table 2. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Pin Symbol
VCC
BST
Pin Name
Main Supply Voltage Input
Bootstrap Supply Voltage
V MAX
15 V
35 V wrt/ GND
V MIN
? 0.3 V
? 0.3 V wrt/SW
40 V ≤ 50 ns wrt/ GND
15 V wrt/ SW
SW
DRVH
Switching Node
(Bootstrap Supply Return)
High Side Driver Output
35 V
40 V ≤ 50 ns
BST+0.3 V
? 5 V
? 10 V (200 ns)
? 0.3 V wrt/SW
? 2 V (<200 ns) wrt/SW
DRVL
Low Side Driver Output
VCC+0.3 V
? 0.3 V DC
? 5 V (<200 ns)
PWM
EN
GND
DRVH and DRVL Control Input
Enable Pin
Ground
6.5 V
6.5 V
0V
? 0.3 V
? 0.3 V
0V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
Table 3. THERMAL INFORMATION (All signals referenced to AGND unless noted otherwise)
Symbol
Parameter
Value
Unit
R q JA
Thermal Characteristic
SOIC Package (Note 1)
DFN Package (Note 1)
123
74
° C/W
T J
T A
T STG
Operating Junction Temperature Range (Note 2)
Operating Ambient Temperature Range
Maximum Storage Temperature Range
0 to 150
? 10 to +125
? 55 to +150
° C
° C
° C
MSL
Moisture Sensitivity Level
SOIC Package
DFN Package
1
1
* The maximum package power dissipation must be observed.
1. I in 2 Cu, 1 oz thickness.
2. Operation at ? 40 ° C to ? 10 ° C guaranteed by design, not production tested.
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCP5901MNTBG | IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-DFN |
| NCP5911MNTBG | IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-DFN |
| NCP692MN50T2GEVB | EVAL BOARD FOR NCP692MN50T2G |
| NCV7513AFTR2G | IC PREDRIVER HEX LOW SIDE 32LQFP |
| NCV7513BFTR2G | IC PREDRIVER HEX LOW SIDE 32LQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5901DR2G | 功能描述:功率驱动器IC VR12 MOSFET DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5901EMNTBG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:VR12 MOSFET DRIVER - Tape and Reel |
| NCP5901MNTBG | 功能描述:功率驱动器IC VR12 MOSFET DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP590MN5ATAG | 功能描述:低压差稳压器 - LDO DUAL LDO 1.2V/1.5V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCP590MN5ATAGEVB | 功能描述:电源管理IC开发工具 DEMO 1.2V X 1.5V RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V |
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