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参数资料
| 型号： | NCP5901BMNTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 配置： | 高端和低端，同步 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 延迟时间： | 25ns |
| 配置数： | 1 |
| 输出数： | 2 |
| 高端电压 - 最大（自引导启动）： | 35V |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 13.2 V |
| 工作温度： | -10°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NCP5901BMNTBGOSDKR |
NCP5901B
Table 4. ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Unless otherwise stated: ? 10 ° C < T A < +125 ° C; 4.5 V < V CC < 13.2 V,
4.5 V < BST ? SWN < 13.2 V, 4.5 V < BST < 30 V, 0 V < SWN < 21 V)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
HIGH SIDE DRIVER (VCC = 5 V)
DRVH Pull Down Resistance
DRVH to SW, BST ? SW = 0 V
45
k W
LOW SIDE DRIVER (VCC = 12 V)
Output Impedance, Sourcing Current
Output Impedance, Sinking Current
2.0
0.8
3.5
1.8
W
W
DRVL Rise Time tr DRVL
DRVL Fall Time tf DRVL
DRVL Turn ? Off Propagation Delay
tpdl DRVL
DRVL Turn ? On Propagation Delay
tpdh DRVL
DRVL Pull Down Resistance
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
DRVL to PGND, VCC = PGND
8.0
16
11
45
35
20
35
30
ns
ns
ns
ns
k W
LOW SIDE DRIVER (VCC = 5 V)
Output Impedance, Sourcing Current
Output Impedance, Sinking Current
4.5
2.4
W
W
DRVL Rise Time tr DRVL
DRVL Fall Time tf DRVL
DRVL Turn ? Off Propagation Delay
tpdl DRVL
DRVL Turn ? On Propagation Delay
tpdh DRVL
DRVL Pull Down Resistance
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
DRVL to PGND, VCC = PGND
30
22
27
12
45
ns
ns
ns
ns
k W
EN INPUT
Input Voltage High
Input Voltage Low
Hysteresis
2.0
500
1.0
V
V
mV
Normal Mode Bias Current
Enable Pin Sink Current
Propagation Delay Time
? 1
4
20
1
30
40
m A
mA
ns
SW Node
SW Node Leakage Current
20
m A
Zero Cross Detection Threshold Voltage
SW to ? 20 mV, ramp slowly until BG goes off
(Start in DCM mode) (Note 3)
? 6
mV
Table 5. DECODER TRUTH TABLE
PWM High
PWM Mid
PWM Mid
PWM Low
PWM INPUT
ZCD
ZCD Reset
Positive current through the inductor
Zero current through the inductor
ZCD Reset
DRVL
Low
High
Low
High
DRVH
High
Low
Low
Low
3. Guaranteed by design; not production tested.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NCP5901MNTBG | IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-DFN |
| NCP5911MNTBG | IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-DFN |
| NCP692MN50T2GEVB | EVAL BOARD FOR NCP692MN50T2G |
| NCV7513AFTR2G | IC PREDRIVER HEX LOW SIDE 32LQFP |
| NCV7513BFTR2G | IC PREDRIVER HEX LOW SIDE 32LQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCP5901DR2G | 功能描述:功率驱动器IC VR12 MOSFET DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP5901EMNTBG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:VR12 MOSFET DRIVER - Tape and Reel |
| NCP5901MNTBG | 功能描述:功率驱动器IC VR12 MOSFET DRIVER RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| NCP590MN5ATAG | 功能描述:低压差稳压器 - LDO DUAL LDO 1.2V/1.5V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCP590MN5ATAGEVB | 功能描述:电源管理IC开发工具 DEMO 1.2V X 1.5V RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 产品:Evaluation Kits 类型:Battery Management 工具用于评估:MAX17710GB 输入电压: 输出电压:1.8 V |
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