参数资料
型号: NCP5901DR2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/9页
文件大小: 0K
描述: IC MOSFET DVR SYNC VR12 8-SOIC
标准包装: 2,500
配置: 高端和低端,同步
输入类型: 非反相
延迟时间: 25ns
配置数: 1
输出数: 2
高端电压 - 最大(自引导启动): 35V
电源电压: 4.5 V ~ 13.2 V
工作温度: -10°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NCP5901DR2G-ND
NCP5901DR2GOSTR
NCP5901
Table 4. ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Unless otherwise stated: ? 10 ° C < T A < +125 ° C; 4.5 V < V CC < 13.2 V,
4.5 V < BST ? SWN < 13.2 V, 4.5 V < BST < 30 V, 0 V < SWN < 21 V)
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Units
LOW SIDE DRIVER (VCC = 12 V)
Output Impedance, Sourcing Current
Output Impedance, Sinking Current
2.0
0.8
3.5
1.8
W
W
DRVL Rise Time tr DRVL
DRVL Fall Time tf DRVL
DRVL Turn ? Off Propagation Delay
tpdl DRVL
DRVL Turn ? On Propagation Delay
tpdh DRVL
DRVL Pull Down Resistance
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
DRVL to PGND, VCC = PGND
8.0
16
11
45
35
20
35
30
ns
ns
ns
ns
k W
LOW SIDE DRIVER (VCC = 5 V)
Output Impedance, Sourcing Current
Output Impedance, Sinking Current
4.5
2.4
W
W
DRVL Rise Time tr DRVL
DRVL Fall Time tf DRVL
DRVL Turn ? Off Propagation Delay
tpdl DRVL
DRVL Turn ? On Propagation Delay
tpdh DRVL
DRVL Pull Down Resistance
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
C LOAD = 3 nF
DRVL to PGND, VCC = PGND
30
22
27
12
45
ns
ns
ns
ns
k W
EN INPUT
Input Voltage High
Input Voltage Low
Hysteresis
2.0
500
1.0
V
V
mV
Normal Mode Bias Current
Enable Pin Sink Current
Propagation Delay Time
? 1
4
20
1
30
40
m A
mA
ns
SW Node
SW Node Leakage Current
20
m A
Zero Cross Detection Threshold Voltage
SW to ? 20 mV, ramp slowly until BG goes off
(Start in DCM mode) (Note 3)
? 6
mV
Table 5. DECODER TRUTH TABLE
PWM High
PWM Mid
PWM Mid
PWM Low
PWM INPUT
ZCD
ZCD Reset
Positive current through the inductor
Zero current through the inductor
ZCD Reset
DRVL
Low
High
Low
High
DRVH
High
Low
Low
Low
3. Guaranteed by design; not production tested.
http://onsemi.com
5
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PDF描述
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