型号: | NCV1124DG |
厂商: | ON Semiconductor |
文件页数: | 3/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | IC SENSOR DUAL VAR-RELUCT 8-SOIC |
标准包装: | 98 |
类型: | 可变磁阻 |
输入类型: | 逻辑 |
输出类型: | 逻辑 |
接口: | 双,串联或并联 |
电流 - 电源: | 5mA |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商设备封装: | 8-SOICN |
包装: | 管件 |
产品目录页面: | 1131 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | NCV1124DG-ND NCV1124DGOS |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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NCV1124DR2G | 功能描述:接口 - 专用 DUAL VARIABLE RELUCTANCE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 产品类型:1080p60 Image Sensor Receiver 工作电源电压:1.8 V 电源电流:89 mA 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:BGA-59 |
NCV1406SNT1G | 功能描述:直流/直流开关转换器 STEP-UP DC-DC CONVERTER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大输入电压:4.5 V 开关频率:1.5 MHz 输出电压:4.6 V 输出电流:250 mA 输出端数量:2 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT |
NCV1413B | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage, High Current Darlington Transistor Arrays |
NCV1413BDR2 | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |
NCV1413BDR2G | 功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel |