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参数资料
| 型号： | NCV2890DMR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PWR AMP AUDIO 1W 8-MICRO |
| 标准包装： | 4,000 |
| 类型： | AB 类 |
| 输出类型： | 1-通道（单声道） |
| 在某负载时最大输出功率 x 通道数量： | 1.08W x 1 @ 8 欧姆 |
| 电源电压： | 2.2 V ~ 5.5 V |
| 特点： | 消除爆音，差分输入，短路和热保护，关闭 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP2890, NCV2890
http://onsemi.com
10
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
Figure 31. Power Dissipation versus Output
Power
0
0.2
0.7
0
0.1
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W)
Pout, OUTPUT POWER (W)
Figure 32. Power Dissipation versus Output
Power
0
0.1
0.2
0.3
0
0.1
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W)
Pout, OUTPUT POWER (W)
Vp = 5 V
RL = 8 W
F = 1 kHz
THD + N < 0.1%
Vp = 3.3 V
RL = 8 W
F = 1 kHz
THD + N < 0.1%
Figure 33. Power Dissipation versus Output
Power
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.25
0
0.05
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W)
Pout, OUTPUT POWER (W)
Figure 34. Power Dissipation versus Output
Power
0
0.05
0.1
0.15
0.4
0
0.1
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(W)
Pout, OUTPUT POWER (W)
Vp = 3 V
RL = 8 W
F = 1 kHz
THD + N < 0.1%
Figure 35. Power Derating 9Pin FlipChip CSP
0
20
160
700
0
P
D
,POWER
DISSIP
A
TION
(mW)
TA, AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Figure 36. Maximum Die Temperature versus
PCB Heatsink Area
50
100
250
180
40
60
DIE
TEMPERA
TURE
(°
C)
@
AMBIENT
TEMPERA
TURE
25
°C
PCB HEATSINK AREA (mm2)
120
150
200
0.5
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.2
0.4
0.5
0.1
100
200
300
400
500
600
80
100
160
140
PDmax = 633 mW
for Vp = 5 V,
RL = 8 W
0.2
0.3
0.4
0.6
0.05
0.15
0.25
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
0.05
0.2
0.15
0.3
0.25
0.35
Vp = 2.6 V
F = 1 kHz
THD + N < 0.1%
RL = 8 W
RL = 4 W
40
60
80
100
120
140
PCB Heatsink Area
500 mm2
50 mm2
200 mm2
300
Maximum Die Temperature 150
°C
Vp = 2.6 V
Vp = 5 V
Vp = 3.3 V
Vp = 4.2 V
RL = 8 W
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