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参数资料
| 型号： | NCV3020BDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 15/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG CTRLR BUCK PWM VM 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| PWM 型： | 电压模式 |
| 输出数： | 1 |
| 频率 - 最大： | 670kHz |
| 占空比： | 80% |
| 电源电压： | 4.7 V ~ 28 V |
| 降压： | 是 |
| 升压： | 无 |
| 回扫： | 无 |
| 反相： | 无 |
| 倍增器： | 无 |
| 除法器： | 无 |
| Cuk： | 无 |
| 隔离： | 无 |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCP3020A, NCP3020B, NCV3020A, NCV3020B
VIN
7.5V
VBOOST
7.5V
0V
Maximum
Normal
VIN
7.5V
VBOOST
7.5V
0V
Maximum
Normal
VIN
7.5V
VBOOST
7.5V
0V
Figure 30. Typical Waveforms for Region 1 (top), Region 2 (middle), and Region 3 (bottom)
To illustrate, a 0.1 m F boost capacitor operating at > 80% duty cycle and > 22.5 V input voltage will exceed the specifications
for the driver supply voltage. See Figure 31.
http://onsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NCP1380CDR2G | IC REG CTRLR FLYBK ISO PWM 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NCV302LSN20T1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Voltage Detector Series with Programmable Delay |
| NCV302LSN30T1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Voltage Detector Series with Programmable Delay |
| NCV302LSN30T1G | 功能描述:电压监测器/监控器 ANA UNDERVOLT DETECT 3.0V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 监测电压数:2 监测电压:Adjustable 输出类型:Open Drain 欠电压阈值: 过电压阈值: 准确性:1 % 工作电源电压:1.5 V to 6.5 V 工作电源电流:1.8 uA 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:SON-6 安装风格:SMD/SMT |
| NCV3030ADR2G | 功能描述:电压模式 PWM 控制器 PWM CONTROLLER RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:1 拓扑结构:Buck 输出电压:34 V 输出电流: 开关频率: 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V 电源电流:600 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
| NCV3030BDR2G | 功能描述:电压模式 PWM 控制器 PWM CONTROLLER RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出端数量:1 拓扑结构:Buck 输出电压:34 V 输出电流: 开关频率: 工作电源电压:4.5 V to 5.5 V 电源电流:600 uA 最大工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
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