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参数资料
| 型号： | NCV33275ST5.0T3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 5V .3A SOT223-4 |
| 标准包装： | 1 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 5V |
| 输入电压： | 最高 13V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.26V @ 300mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 300mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装： | SOT-223 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCV33275ST5.0T3GOSCT |
MC33275, NCV33275
PACKAGE DIMENSIONS
SOIC ? 8 NB
D SUFFIX
CASE 751 ? 07
ISSUE AK
? Y ?
B
? X ?
8
1
A
5
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
K
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
6. 751 ? 01 THRU 751 ? 06 ARE OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 751 ? 07.
? Z ?
H
G
D
0.25 (0.010)
M
Z Y
C
S
X
SEATING
PLANE
0.10 (0.004)
S
N
X 45 _
M
J
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
M
N
S
MILLIMETERS
MIN MAX
4.80 5.00
3.80 4.00
1.35 1.75
0.33 0.51
1.27 BSC
0.10 0.25
0.19 0.25
0.40 1.27
0 _ 8 _
0.25 0.50
5.80 6.20
INCHES
MIN MAX
0.189 0.197
0.150 0.157
0.053 0.069
0.013 0.020
0.050 BSC
0.004 0.010
0.007 0.010
0.016 0.050
0 _ 8 _
0.010 0.020
0.228 0.244
SOLDERING FOOTPRINT*
1.52
0.060
7.0
0.275
0.6
0.024
4.0
0.155
1.270
0.050
SCALE 6:1
mm
inches
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
12
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCV33375ST3.3T3G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO ANA 0.3A 3.3V LDO W/ ENAB RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV360SNAET1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:USB POS OVP PMOSFET W STA - Tape and Reel |
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