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参数资料
| 型号： | NCV431AIDR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC VREF SHUNT PREC ADJ 8-SOICN |
| 标准包装： | 1 |
| 基准类型： | 旁路，可调节，精度 |
| 输出电压： | 2.495 V ~ 36 V |
| 容差： | ±1% |
| 温度系数： | 标准值 50ppm/°C |
| 输入电压： | 2.495 V ~ 36 V |
| 通道数： | 1 |
| 电流 - 阴极： | 1mA |
| 电流 - 输出： | 100mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NCV431AIDR2GOSCT |
TL431, A, B Series, NCV431A, B
Symbol
Representative Schematic Diagram
Component values are nominal
Cathode
Reference
(R)
(K)
800
Cathode (K)
800
Anode
(A)
Reference
(R)
20 pF
Representative Block Diagram
3.28 k
4.0 k
150
Reference
(R)
+
Cathode
(K)
2.4 k
7.2 k
20 pF
10 k
-
2.5 V ref
1.0 k
800
Anode (A)
Anode (A)
This device contains 12 active transistors.
MAXIMUM RATINGS (Full operating ambient temperature range applies, unless otherwise noted.)
Rating
Cathode to Anode Voltage
Cathode Current Range, Continuous
Reference Input Current Range, Continuous
Operating Junction Temperature
Operating Ambient Temperature Range
TL431I, TL431AI, TL431BI
TL431C, TL431AC, TL431BC
NCV431AI, NCV431B, TL431BV
Storage Temperature Range
Total Power Dissipation @ T A = 25 ° C
Derate above 25 ° C Ambient Temperature
D, LP Suffix Plastic Package
P Suffix Plastic Package
DM Suffix Plastic Package
Total Power Dissipation @ T C = 25 ° C
Derate above 25 ° C Case Temperature
D, LP Suffix Plastic Package
P Suffix Plastic Package
ESD Rating
Symbol
V KA
I K
I ref
T J
T A
T stg
P D
P D
HBM
MM
Value
37
? 100 to +150
? 0.05 to +10
150
? 40 to +85
0 to +70
? 40 to +125
? 65 to +150
0.70
1.10
0.52
1.5
3.0
>2000
>200
Unit
V
mA
mA
° C
° C
° C
W
W
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
Cathode to Anode Voltage
Cathode Current
Condition
Symbol
V KA
I K
Min
V ref
1.0
Max
36
100
Unit
V
mA
THERMAL CHARACTERISTICS
D, LP Suffix
P Suffix
DM Suffix
Characteristic
Thermal Resistance, Junction ? to ? Ambient
Thermal Resistance, Junction ? to ? Case
Symbol
R q JA
R q JC
Package
178
83
Package
114
41
Package
240
?
Unit
° C/W
° C/W
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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