参数资料
型号: NCV8508PD50R2G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/26页
文件大小: 0K
描述: IC REG LDO 5V 8SOIC-EP
标准包装: 2,500
稳压器拓扑结构: 正,固定式
输出电压: 5V
输入电压: 最高 45 V
电压 - 压降(标准): 0.45V @ 150mA
稳压器数量: 1
电流 - 限制(最小): 250mA
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm Width)裸露焊盘
供应商设备封装: 8-SOIC-EP
包装: 带卷 (TR)
NCV8508
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
120
? 700
110
? 40 ° C
+25 ° C
? 600
? 500
? 400
1.0 m F
ESR = 4.6 W
100
+125 ° C
? 300
? 200
? 100
10 m F
ESR = 3.4 W
100 m F
ESR = 1.3 W
90
0
50
100 150
200
250
0
0
50
100 150
200
250
I OUT , mA
Figure 6. Quiescent Current vs Output Current
3.7
3.6
3.5
3.4
3.3
3.2
3.1
3.0
2.9
2.8
14
12
10
8
6
4
2
Switching Current, mA
Figure 7. Load Transient Response
2.7
? 40
? 20
0
20
40 60 80
100
120
140
0
15
60
105 150
195
240
Temperature, ° C
Figure 8. POR Delay vs Temp, R DELAY = 60 k W
27.0
26.5
26.0
25.5
25.0
24.5
24.0
23.5
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
R DELAY , k W
Figure 9. POR Delay vs R DELAY
23.0
? 40
? 20
0
20 40 60 80
100
120
140
0
15
60
105 150
195
240
Temperature ( ° C)
Figure 10. Wakeup Period vs Temp, R DELAY = 60 k W
http://onsemi.com
6
R DELAY , k W
Figure 11. Wakeup Period vs R DELAY
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