参数资料
| 型号： | NCV86601D50R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 5V .15A 8-SOIC |
| 标准包装： | 2,500 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 5V |
| 输入电压： | 最高 40 V |
| 电压 - 压降（标准）： | 0.3V @ 150mA |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 150mA |
| 电流 - 限制（最小）： | 205mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV8660
110
2.0
180
1.3
100
90
80
70
60
50
Power curve with PCB 1 oz cu
Theta JA curve
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
170
160
150
140
130
120
110
100
90
Power curve with PCB 1 oz cu
Theta JA curve
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
40
0
100
200
300
400
500
600
0
700
80
0
100
200
300
400
500
600
0.7
700
COPPER HEAT SPREADER AREA (mm 2 )
Figure 26. R q JA vs. PCB Copper Area (DPAK)
COPPER HEAT SPREADER AREA (mm 2 )
Figure 28. R q JA vs. PCB Copper Area
(SOIC ? 8 Fused)
100
10
1
0.1
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
Psi Tab ? A
0.001
0.01 0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 27. Transient Thermal Response (DPAK)
Cu Area = 645 mm 2
100
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.1
0.01
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
Psi L ? A
0.001
0.01 0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 29. Transient Thermal Response (SOIC ? 8 Fused)
Cu Area = 645 mm 2
http://onsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NCV86601DT50RKG | 功能描述:低压差稳压器 - LDO VERY LOW IQ W/RESET RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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| NCV86602BD50R2G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO Fixed 0.6V 1mA to 150mA RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV86602BDT33RKG | 功能描述:低压差稳压器 - LDO VERY LOW IQ LDO W RESET RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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