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参数资料
| 型号： | NCV8668ABPD33R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/18页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG LDO 3.3V .15A 8-SOIC-EP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 稳压器拓扑结构： | 正，固定式 |
| 输出电压： | 3.3V |
| 输入电压： | 4.5 V ~ 40 V |
| 稳压器数量： | 1 |
| 电流 - 输出： | 150mA |
| 电流 - 限制（最小）： | 205mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC-EP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NCV8668
TYPICAL CHARACTERISTICS
V in
(5 V/div)
T J = 25 ° C
V EN = V in
R out = 5 k W
100
90
80
70
60
T J = 25 ° C
V in = 13.2 V ± 0.5 V pp
C out = 2.2 m F
I out = 0.1 mA
50
V out
(5 V/div)
40
30
20
V RO
(5 V/div)
10
0
10
100
1000
10000
100000
6000
TIME (100 ms/div)
Figure 16. Power Up/Down Response
(5 V option)
4
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 17. PSRR vs. Frequency
(5 V option)
5000
4000
3000
T J = 25 ° C
V in = 13.2 V
C out = 2.2 m F
I out = 150 mA
3
2
V in = 13.2 V
V EN = 0 V
2000
1
1000
0
10
100
1000
10000
100000
0
? 40 ? 20
0
20
40
60
80
100 120
140 160
4
f, FREQUENCY (Hz)
Figure 18. Noise vs. Frequency
(5 V option)
50
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 19. Disable Current vs Temperature
3
2
V EN = 0 V
150 ° C
40
30
20
V in = 13.2 V
150 ° C
25 ° C
? 40 ° C
1
125 ° C
85 ° C
10
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V in , INPUT VOLTAGE (V)
Figure 20. Disable Current vs. Input Voltage
V EN , ENABLE VOLTAGE (V)
Figure 21. Enable Current vs. Enable Voltage
http://onsemi.com
9
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NCV8674DS120G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO VERY LO IQ 350mA REG LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
| NCV8674DS120R4G | 功能描述:低压差稳压器 - LDO VERY LO IQ 350mA REG LDO RoHS:否 制造商:Texas Instruments 最大输入电压:36 V 输出电压:1.4 V to 20.5 V 回动电压（最大值）:307 mV 输出电流:1 A 负载调节:0.3 % 输出端数量: 输出类型:Fixed 最大工作温度:+ 125 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:VQFN-20 |
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